类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 23mΩ@10V,8.7A |
功率(Pd) | 62W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.59nF@30V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 52pF@30V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SQ7414CENW-T1_GE3是一款高性能的N通道MOSFET场效应管,主要由VISHAY(威世)生产。该器件具有优异的电气性能和宽广的工作温度范围,特别适用于高效率电源转换、开关电源以及电机驱动等应用场景。其采用表面贴装类型的PowerPAK® 1212-8W封装,能够在紧凑的空间中提供优良的热性能和电流承载能力。
SQ7414CENW-T1_GE3适合广泛的应用,包括,但不限于:
SQ7414CENW-T1_GE3是一款具有优异电气性能和广泛应用范围的高品质N通道MOSFET。其高耐压、高导电性和宽工作温度范围的设计,满足了现代电子应用中对元件稳定性与可靠性的严格要求,为用户在设计与开发各类电子产品时提供了极大的便利。无论是在高频开关电源,还是在各类电子产品的功率管理中,SQ7414CENW-T1_GE3都展现出其卓越的性能优势和广泛的适用性。