SQ7414CENW-T1_GE3 产品实物图片
SQ7414CENW-T1_GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

SQ7414CENW-T1_GE3

商品编码: BM0084330291
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® 1212-8W
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 62W 60V 18A 1个N沟道 PowerPAK-1212-8W
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.06
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.06
--
100+
¥1.65
--
750+
¥1.47
--
1500+
¥1.39
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SQ7414CENW-T1_GE3参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)18A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23mΩ@10V,8.7A
功率(Pd)62W阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.59nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)52pF@30V工作温度-55℃~+175℃

SQ7414CENW-T1_GE3手册

SQ7414CENW-T1_GE3概述

产品概述:SQ7414CENW-T1_GE3

一、产品定义

SQ7414CENW-T1_GE3是一款高性能的N通道MOSFET场效应管,主要由VISHAY(威世)生产。该器件具有优异的电气性能和宽广的工作温度范围,特别适用于高效率电源转换、开关电源以及电机驱动等应用场景。其采用表面贴装类型的PowerPAK® 1212-8W封装,能够在紧凑的空间中提供优良的热性能和电流承载能力。

二、技术参数

  1. FET 类型:N通道
  2. 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  3. 漏源电压(Vdss):可承受高达60V的漏极源极电压,适合多种高电压应用。
  4. 连续漏极电流(Id)@25°C:最大18A,确保在正常工作条件下能够提供强大的电流输出。
  5. 驱动电压:在4.5V和10V的驱动电压下均可实现理想的Rds On,确保开关效率。
  6. 导通电阻(Rds On):在10V驱动下,最大导通电阻为23毫欧(@8.7A),提供低损耗的高效开关。
  7. 阈值电压(Vgs(th)):最大阈值电压为2.5V(@250µA),意味着该器件能够在较低的Vgs下开始导通,改善开关速度。
  8. 栅极电荷(Qg):在10V下,栅极电荷最大为25nC,这使得驱动电路的功耗较低。
  9. 输入电容(Ciss):在30V下,输入电容最大为1590pF,这保证了在高频应用中的良好性能。
  10. 功率耗散:最大功率耗散为62W,保证了大功率应用中的稳定性。
  11. 工作温度范围:-55°C至175°C,令其在极端环境条件下仍能稳定工作。
  12. 封装类型:PowerPAK® 1212-8W,表面贴装设计,符合现代电子产品对紧凑、高效散热的要求。

三、应用领域

SQ7414CENW-T1_GE3适合广泛的应用,包括,但不限于:

  • 开关电源:在DC/DC转换器、AC/DC适配器中,提供高效电源转换和稳压功能。
  • 电机控制:在电动机驱动电路中,作为开关元件以控制电机的启停及调速。
  • 汽车电子:适用于电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
  • 消费电子:在各类家用电子产品中提供可靠的电源管理解决方案。

四、优点分析

  1. 高效能:此器件的低导通电阻大幅降低了功耗,提高了整体能效,非常适合高频开关应用。
  2. 宽广温度范围:宽温度能力使其能在极端环境中工作,适合军工、航天等特殊应用。
  3. 小体积高功率:PowerPAK® 1212-8W封装的设计大大节省了PCB空间,适应现代电子产品对体积的要求。

五、结论

SQ7414CENW-T1_GE3是一款具有优异电气性能和广泛应用范围的高品质N通道MOSFET。其高耐压、高导电性和宽工作温度范围的设计,满足了现代电子应用中对元件稳定性与可靠性的严格要求,为用户在设计与开发各类电子产品时提供了极大的便利。无论是在高频开关电源,还是在各类电子产品的功率管理中,SQ7414CENW-T1_GE3都展现出其卓越的性能优势和广泛的适用性。