IGBT类型 | FS(场截止) | 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
集电极电流(Ic) | 80A | 耗散功率(Pd) | 468W |
输出电容(Coes) | 177pF | 正向脉冲电流(Ifm) | 120A |
正向压降(Vf) | 2.1V@40A | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@40A,15V |
栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | 栅极电荷量(Qg) | 298nC@15V |
输入电容(Cies) | 5.59nF | 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns |
关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | 导通损耗(Eon) | 2.3mJ |
关断损耗(Eoff) | 1.6mJ | 反向恢复时间(Trr) | 180ns |
正向电流(If) | 40A | 反向传输电容(Cres) | 134pF |
NCE40TD120BT是一款由新洁能(NCE)公司生产的高性能功率器件,通常用于高频开关电源、逆变器和电机驱动等应用。凭借其优越的电气性能和可靠的封装设计,NCE40TD120BT备受电子工程师和设计师的青睐。它所采用的TO-247封装,不仅方便散热,还提供了更好的电气连接,适合高功率应用场景。
由于NCE40TD120BT的高耐压、高电流及良好的开关特性,它广泛应用于多个关键领域,包括:
在使用NCE40TD120BT时,设计师需要关注以下几个方面:
NCE40TD120BT是一款出色的高压功率MOSFET,凭借其优越的电气性能和可靠的封装特性,适用于多种高功率电子应用。对于追求高效率与高可靠性的电源设计,NCE40TD120BT无疑是一个值得推荐的选择。随着技术的不断进步,预计它在未来的电子设计领域将继续发挥重要的作用。