
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | 光电三极管 |
| 正向压降(Vf) | 1.18V |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V |
| 负载电压 | 30V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输出通道数 | 1 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@0.5mA,10mA |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% |
| 总功耗(Pd) | 270mW |
| 正向电流(If) | 60mA |
4N35SM 是一种高性能的光耦合器,采用6-SMD封装,广泛应用于电子设备的信号隔离和数据传输中。该元器件由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,具备高度的电压隔离能力和快速的开关特性,适用于各种工业控制和通信领域。
4N35SM 广泛用于以下领域:
4N35SM 是一款兼具高性能和可靠性的光耦合器,凭借其卓越的电气特性和宽广的应用范围,在现代电子设计中扮演着不可或缺的角色。其典型的开关时间、电压隔离能力和工作温度范围使其成为各种工业和消费电子应用的理想选择。无论是在电气隔离、信号传输还是控制逻辑中,4N35SM 都能够提供稳定、有效的解决方案,满足用户在复杂环境中对电子元件的高效能要求。