AO3407A
AO3407A参数
| 类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 48mΩ@10V,4.3A |
| 功率(Pd) | 1.4W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 16nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 830pF@15V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 92pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
AO3407A手册
AO3407A概述
AO3407A 产品概述
一、产品简介
AO3407A 是一款高性能的 P 沟道增强型场效应管(MOSFET)，具有额定漏源电压(Vdss)为 30V，连续漏极电流 (Id) 在 25°C 时可达到 4.3A。该器件采用 SOT-23-3 封装，设计为低功耗和小型化的解决方案，适用于各种电子设备和电源管理应用。其出色的性能特点和高效能使其成为现代电路设计中不可或缺的元件之一。
二、主要参数
漏源电压 (Vdss): 30V
- 该参数表示 MOSFET 在不工作状态下所能承受的最大源漏电压，确保设备在大多数常见应用中的安全与可靠。
连续漏极电流 (Id):
- 在常温 (25°C) 下，器件可承受的最大连续漏极电流为 4.3A，能够满足一些高电流需求的应用。
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
- 该参数表明在 3V 的栅源电压下，可以流过 250uA 的漏极电流，显示出该 MOSFET 的出色导通性能。
漏源导通电阻 (Rds(on)):
- 两种不同版本的导通电阻分别为 48mΩ(@ 4.3A, 10V) 和 52mΩ(@ 4.1A, 10V)，低导通电阻大大减少了在开关状态下的功耗，提高了电路的效率。
最大功率耗散: 1.4W (Ta=25°C)
- 最大功耗为 1.4W，适应多种工作环境，特别是在对功率和温度敏感的应用中。
封装类型: SOT-23-3
- 紧凑的封装形式使得 AO3407A 易于集成到各种小型化电子设计中，适用于手机、平板、笔记本电脑等便携式设备。
三、应用场景
AO3407A 因其优良的电性特征，广泛应用于以下几个领域：
开关电源 (SMPS): 在开关电源设计中，AO3407A 可以用作开关器件，提高能量转换效率，降低电源损耗。
电机控制: 在小型电机驱动电路中用作功率开关，提供高电流的驱动能力，非常适合于扇风机、泵等设备的控制。
LED 驱动电路: 可用于 LED 的驱动电路中，实现高效能的亮度调节和开关控制。
便携式电子设备: 包括手机、平板电脑和可穿戴设备等，因其小型化封装和高效率特性，最为理想的选择。
Li-ion 电池管理: 在电池保护和管理电路中，控制充放电状态，维护电池的安全和寿命。
四、总结
AO3407A 是一款经过精心设计的 P 沟道 MOSFET，结合了高电流承载能力、低导通电阻和适应广泛应用的封装，使其成为现代电子系统中不可或缺的一部分。无论是在电源管理、开关电源、LED 驱动还是高效电机控制等领域，AO3407A 均能够提供稳定的性能和可靠的品质。
凭借其卓越的电参数和多样化的应用潜力，AO3407A 为设计工程师和广大电子产品开发者提供了重要的设计选择，实现了小型化、高效能和高性价比的目标。最终推动电子产品向更高效、更节能、更紧凑的方向发展。