| 数量 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@5V |
| 耗散功率(Pd) | 540mW | 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | 反向传输电容(Crss) | 1.4pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 输出电容(Coss) | 3.4pF |
概述 2N7002AQ-7是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备的开关和放大应用。此MOSFET具有低导通电阻和高漏极电流承载能力,尤其适合用于需要小型化、高效率的电路设计。该元件采用SOT-23封装,便于表面贴装,适合现代电子产品的设计需求。
主要参数
应用场景 2N7002AQ-7广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。它特别适合以下应用:
结论 2N7002AQ-7是一款功能强大的N通道MOSFET,其优良的电气特性和高温稳定性使其在现代电子设计中受到广泛青睐。无论是在信号开关、功率管理还是LED驱动等各类应用中,2N7002AQ-7都以其高效、稳定的性能表现出色,成为工程师和设计师的理想选择。由于其小巧的SOT-23封装,使得在有限的空间内实现高效能成为可能。因此,无论是对初学者还是专业人士,掌握和使用这款MOSFET将是极具价值的。