IRF540NPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF540NPBF

商品编码: BM0093065191
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
2.64g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 130W 100V 33A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
20664(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.01
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.01
--
1000+
¥0.93
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF540NPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)33A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)44mΩ@10V,16A
功率(Pd)130W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)71nC输入电容(Ciss@Vds)1.96nF
反向传输电容(Crss@Vds)40pF工作温度-55℃~+175℃

IRF540NPBF手册

IRF540NPBF概述

产品概述:IRF540NPBF N沟道MOSFET

概述

IRF540NPBF是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),广泛应用于电源转换、工业驱动和电机控制等领域。该器件支持高电压和大电流的操作,具有优良的热稳定性和开关特性,因而适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。

电气特性

IRF540NPBF提供以下关键电气参数:

  • 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):该器件具有最佳的漏源击穿电压为100V,确保其在高压环境下的稳定工作。
  • 连续漏极电流 (Id):在额定的工作温度条件下(Tc),IRF540NPBF支持最大连续漏极电流为33A,使其能够处理较大的功率负载。
  • 导通电阻 (Rds(on)):当通过该MOSFET的电流达到16A并在10V的驱动电压下,导通电阻为44毫欧,这意味着在导通状态下能量损耗极低,提高系统整体效率。
  • 阈值电压 (Vgs(th)):该器件的阈值电压为4V@250µA,表明MOSFET在此电压下可以被激活,适合多种逻辑电平驱动应用。

功率特性

IRF540NPBF的功耗特性如下:

  • 最大耗散功率:可达到130W,这使得该器件适合在高功率环境下使用,可以有效地传导和消耗产生的热量。
  • 工作温度范围:该MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C,显示出其优异的热稳定性,适合在极端环境下工作。

结构与封装

IRF540NPBF采用TO-220AB封装,其结构设计便于散热和装配。通孔式安装方式使该器件易于集成入各种电路板,适合要求较高的工业和消费类电子应用。

驱动特性

  • 驱动电压:适宜的驱动电压一般为10V,这样可以确保MOSFET在导通状态下的Rds(on)表现最佳。
  • 栅极电荷 (Qg):该器件的栅极电荷为71nC@10V,意味着在开关操作时可以较快地充电和放电,从而减少开关损耗,提高开关频率性能。

应用领域

由于其优异的电气性能和热特性,IRF540NPBF广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:用于直流-直流转换器、开关电源和不间断电源(UPS)系统中,以提高转换效率。
  2. 电机控制:在直流电机驱动和步进电机控制中,该MOSFET提供了高功率和高效率的驱动解决方案。
  3. 汽车应用:适用于车载电子设备和电动汽车的动力控制系统。
  4. 消费电子:用于家庭电器、充电器和各类电子产品的电源管理。

总结

IRF540NPBF是一款性能卓越的N沟道MOSFET,具有高电压、高电流和高功率能力,能够满足现代电子系统的严苛要求。其优良的热管理、导通效率及支持广泛的应用环境,令其在许多高性能电源和驱动系统中成为理想选择。无论是工业应用还是消费电子,IRF540NPBF都能提供稳定可靠的性能支持,是电子设计工程师值得信赖的元器件之一。