类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 33A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 44mΩ@10V,16A |
功率(Pd) | 130W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 71nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.96nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF540NPBF是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),广泛应用于电源转换、工业驱动和电机控制等领域。该器件支持高电压和大电流的操作,具有优良的热稳定性和开关特性,因而适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
IRF540NPBF提供以下关键电气参数:
IRF540NPBF的功耗特性如下:
IRF540NPBF采用TO-220AB封装,其结构设计便于散热和装配。通孔式安装方式使该器件易于集成入各种电路板,适合要求较高的工业和消费类电子应用。
由于其优异的电气性能和热特性,IRF540NPBF广泛应用于以下领域:
IRF540NPBF是一款性能卓越的N沟道MOSFET,具有高电压、高电流和高功率能力,能够满足现代电子系统的严苛要求。其优良的热管理、导通效率及支持广泛的应用环境,令其在许多高性能电源和驱动系统中成为理想选择。无论是工业应用还是消费电子,IRF540NPBF都能提供稳定可靠的性能支持,是电子设计工程师值得信赖的元器件之一。