LM258DT参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 放大器数 | 2 |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 30V |
| 增益带宽积(GBW) | 1.1MHz |
| 输入失调电压(Vos) | 5mV |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 30uV/℃ |
| 压摆率(SR) | 600V/ms |
| 输入偏置电流(Ib) | 300nA |
| 输入失调电流(Ios) | 30nA |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输入电压噪声密度(eN) | 55nV/√Hz@1kHz |
| 共模抑制比(CMRR) | 85dB |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | 10pA/℃ |
| 静态电流(Iq) | 700uA |
| 输出电流 | 40mA |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 单电源电压 | 3V~30V |
| 功能特性 | 内置补偿 |
LM258DT手册
LM258DT概述
LM258DT 产品概述
一、产品简介
LM258DT 是一款由意法半导体 (STMicroelectronics) 生产的双路运算放大器,封装为 8-SOIC。这款运算放大器采用标准通用运算放大器设计,广泛应用于信号放大、滤波、差分放大等多种电子电路中。LM258DT 以其良好的性能、宽广的工作电压范围以及适应恶劣环境的能力,成为许多电子设计中的理想选择。
二、主要技术参数
- 增益带宽积 (GBP): 1.1 MHz
- 放大器组数: 2(双路通道设计)
- 运放类型: 通用运算放大器
- 功耗: 各通道功耗为 700 µA
- 压摆率 (SR): 0.6 V/µs
- 工作温度范围: -40°C 至 105°C
- 电源电压范围: 3V 到 30V, 或 ±1.5V 到 ±15V
- 输入特性:
- 输入偏置电流: 20 nA
- 输入补偿电压: 1 mV
- 输出特性: 每通道输出电流可达 60 mA
- 封装: 8-SOIC(0.154" 或 3.90 mm 宽)
- 安装类型: 表面贴装型 (SMD)
三、性能特征
LM258DT 的增益带宽积 (GBP) 为 1.1 MHz,体现了其在信号处理中的高频性能,能够处理高频信号的放大需求。压摆率 (SR) 为 0.6 V/µs,使其在快速变化的信号中提供稳定性和可靠性,适合用于对速度有一定要求的应用场合。
其低输入偏置电流 (20 nA) 和输入补偿电压 (1 mV) 使得 LM258DT 在高精度信号放大时表现出色,特别是在传感器接口和高速数据采集系统中。此外,该器件的输入和输出电流能力(输出电流可达60 mA)为驱动后续的电路提供了保障,能够适应较为复杂的设备负载。
四、应用领域
由于其广泛的工作电压范围和可靠的温度特性,LM258DT 可在各种极端环境条件下正常工作,适用于如下应用:
- 工业自动化: 适用于传感器信号放大和实时数据采集。
- 消费电子: 可用在音频设备、视频处理器等领域,提供高精度信号处理。
- 汽车电子: 在车载系统中可作为传感器放大器、信号调节器等。
- 医疗设备: 作为生物信号处理,例如心电图 (ECG) 监测系统。
- 无线通信: 用于调制解调器、放大器和其他 RF 应用。
五、总结
LM258DT 是一款表现出色的双路通用运算放大器,凭借其优越的性能参数和广泛的应用潜力,深入到现代电子电路设计中。无论在极端的温度环境下,还是在对功耗严格控制的设计中,LM258DT 均展现出其独特的优势,成为许多工程师的首选器件。在设计新一代电子产品时,LM258DT 以其高集成度和可靠性,为实现高效、稳定的电路功能提供了强有力的支持。
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