制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.9A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 120 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±8V | 功率耗散(最大值) | 3W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 425pF @ 10V |
SQ2301ES-T1_BE3 是由Vishay Siliconix制造的一款高性能P沟道MOSFET,专为汽车和工业应用设计,符合AEC-Q101标准。这款元器件采用表面贴装型(SMD)封装,具有紧凑的SOT-23-3(TO-236-3)结构,适合于空间受限的设备中,提供低电阻和高效能的性能。
SQ2301ES-T1_BE3 的主要电气性能指标包括:
SQ2301ES-T1_BE3 是一款高效、可靠的P沟道MOSFET,广泛应用于以下领域:
SQ2301ES-T1_BE3 以卷带(TR)形式包装,适合自动化的表面贴装生产工艺,减少了在生产过程中的手动操作,提高了生产效率和产品一致性。在存储和处理时,用户应注意防静电,确保元件的完好性与性能。
SQ2301ES-T1_BE3 是一款优质的P沟道MOSFET,其出色的电气性能、广泛的工作温度范围和可靠的封装形式使其成为多种应用中理想的选择。无论是在汽车电子、功率管理、还是DC-DC转换器中,该器件均能提供稳定的性能与高效的能量转换,助力设计师创造出更高效、更可靠的电子设备。