功率(Pd) | 25W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 24pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@4.5V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.6nC@20V |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 831pF@20V | 连续漏极电流(Id) | 40A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
NCEP4040Q是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),具有出色的电流承载能力和电压耐受性,特别适合在高功率应用场景中使用。此产品由知名品牌NCE(新洁能)制造,采用DFN-8封装,尺寸为3.1mm x 3.2mm,为其在各种电子应用中的集成提供了便利。NCEP4040Q的额定功率为25W,最大直流电压为40V,能够承载高达40A的电流,适合用于DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等多种应用领域。
高电流承载能力:NCEP4040Q支持最高40A的电流,这使得它在需要高功率输出的应用中尤为重要,例如大功率电源和电机控制等。
高电压耐压:该MOSFET的额定电压高达40V,对于电源电压较高的系统来说,提供了足够的安全余度,降低了在高电压操作下失效的风险。
低导通阻抗:NCEP4040Q具有极低的导通阻抗,这意味着在工作时会产生较少的能量损耗,有助于提高整体系统的效率,特别是当其用于开关电源时,可以显著降低发热量。
DFN-8封装:其采用的DFN-8封装设计不仅体积小巧,便于自动贴片和焊接,同时也带来优良的热管理性能,使得MOSFET能够更高效地散热,提升整体性能和可靠性。
简单的驱动要求:NCEP4040Q的驱动电压要求相对较低,通常只需5V-10V的栅极驱动电压即可实现快速开关,使其在应用设计中非常容易集成。
NCEP4040Q适合多种高功率和高效率的场景,主要包括但不限于:
DC-DC转换器:在电源转换过程中,低导通阻抗能够显著降低功耗,提高转换效率,非常适合应用在电池供电的设备中。
电机驱动:能够高效地控制直流电机的开关和调速,特别是在电动汽车、玩具车及工业自动化设备中。
电源管理:作为负载开关或者同步整流应用,NCEP4040Q能有效降低能量损耗,提升电源模块的整体性能。
LED驱动:在LED灯具中用作驱动开关,NCEP4040Q能够平稳控制电流,延长LED的使用寿命。
这些参数显示出NCEP4040Q在高负载及高电压条件下的卓越性能,并为各种电子系统的创新和优化提供了坚实的基础。
NCEP4040Q是一款理想的N沟道MOSFET,为高功率和高效率的电子应用提供了出色的性能和可靠性。无论是在开关电源还是电机驱动中,NCEP4040Q都能有效地满足严苛的要求,帮助设计师和工程师实现更高效、更紧凑的电路设计。随着对低能耗和高效率的持续追求,NCEP4040Q必将在现代电子设计中扮演越来越重要的角色。