NTMFS5C628NLT1G

产品概述：NTMFS5C628NLT1G N通道MOSFET

一、引言

NTMFS5C628NLT1G是由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的一款高性能N通道金属氧化物场效应管（MOSFET）。凭借其优异的电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围，这款MOSFET非常适合用于各种电子产品和电力管理应用。它的设计和规格使其在高性能应用中展现出无与伦比的卓越表现，为工程师和设计师提供了可靠且高效的解决方案。

二、基本参数

1. 制造商：ON Semiconductor
2. 零件状态：有源
3. 封装类型：卷带（TR），表面贴装型（SMD）
4. 器件封装：DFN-5（5x6 mm），小型化设计方便PCB布板
5. 最大连续漏极电流 (Id)：15A（在冷却条件下Tc）
6. 漏源电压 (Vdss)：60V，适合中到高压应用
7. 导通电阻 (Rds(on))：2.4毫欧（在10V下，50A时），低导通电阻提供高效能
8. 栅极驱动电压 (Vgs)：4.5V 和 10V，适应多种驱动电压
9. 栅源电压阈值 (Vgs(th)) 最大值：2V（在135µA下），确保良好的开关控制
10. 最高工作温度：-55°C至175°C，卓越的热稳定性适合极端环境
11. 功率耗散：可达3.7W（环境温度下Ta），及110W（冷却状态下Tc），提供了高功率处理能力
12. 开关性能：栅极电荷（Qg）最大值为52nC（在10V时），提高了开关速度
13. 输入电容 (Ciss)：最大值为3600pF（在25V时），优化了开关损耗

三、应用领域

NTMFS5C628NLT1G因其优越的性能，广泛应用于以下领域：

• 电源管理：适用于DC-DC转换器、电池管理系统中，能够有效提升能量转化效率。
• 电动汽车：在电动汽车的驱动和电池管理中，有助于实现高效的动力系统。
• 消费电子：如计算机电源、笔记本电脑、平板电脑中，确保稳定的电源输出和功率效率。
• 工业应用：在电动机驱动、逆变器及各类工业控制设备中，实现高功率和高效率的电路设计。

四、技术优势

1. 低导通电阻：NTMFS5C628NLT1G的低Rds(on)特性可以降低功耗和发热，极大提高了系统的效率。
2. 宽温度范围：其广泛的工作温度范围保证了该器件在极端环境下的稳定性和可靠性，使其适用于航空航天、汽车及工业控制等苛刻条件。
3. 小型封装：DFN-5封装减少了占用空间，为高密度PCB设计提供了灵活性。
4. 高电流能力：支持15A的高电流承载能力，适合多种负载应用。
5. 良好的开关性能：支持较快的开关速度，满足高频应用需求。

五、总结

NTMFS5C628NLT1G N通道MOSFET凭借其卓越的电气特性和可靠的性能，为各种电子产品设计提供了强有力的支持。无论是在消费电子、电动汽车还是工业控制领域，该元器件都能展现出其高效率和稳定性，帮助工程师们更好地实现他们的设计目标。选择这款MOSFET可确保您的产品在市场中保持竞争力，并满足不断变化的技术需求。