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BZT52H-C68,115

- 商品编码: BM0220105565复制
- 品牌: Nexperia(安世)复制
- 封装: SOD-123F复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.034g复制
- 描述: Diode Zener Single 68V 5% 830mW 2-Pin SOD-123F复制
BZT52H-C68,115参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 稳压值(标称值) | 68V |
| 反向电流(Ir) | 50nA@47.6V |
| 稳压值(范围) | 64V~72V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375mW |
| 阻抗(Zzt) | 160Ω |
| 精度 | ±5% |
BZT52H-C68,115手册
BZT52H-C68,115概述
产品概述:BZT52H-C68,115
一、产品简介
BZT52H-C68,115 是一款高性能的齐纳二极管,由知名电子元器件供应商 Nexperia(安世)制造。其标称齐纳电压为 68V,具有 ±5% 的容差,主要用于电压稳压和过压保护等应用场景。该器件采用 SOD-123F 封装,带来高效的表面贴装解决方案,适用于现代电路板设计。
二、技术参数
电压特性:
- 齐纳电压 (Vz):68V
- 容差:±5%(确保在特定工作条件下的可靠性与稳定性)
功率和阻抗:
- 最大功率:375mW(能在相对较高功率下工作)
- 最大阻抗 (Zzt):160Ω(为电流提供低阻抗路径,从而稳定输出电压)
电流特性:
- 反向泄漏电流:50nA @ 47.6V(在较高齐纳电压下仍表现出极低的泄漏电流,确保有效的电压保护)
- 正向电压 (Vf):900mV @ 10mA(在正常工作条件下,正向导通表现良好)
环境适应性:
- 工作温度范围:-65°C ~ 150°C(广泛的工作温度范围使其适合多种苛刻环境)
封装特点:
- 封装类型:SOD-123F(小型化设计,有助于节省电路板空间)
- 安装方式:表面贴装,便于自动化生产和装配
三、应用场景
BZT52H-C68,115 齐纳二极管广泛应用于以下几种场景:
电源管理: 通过稳定电压,为关键电路提供保护,防止电压瞬变对元器件造成损害。
过压保护: 在电路中充当“安全阀”,当电压超出设定值时,齐纳二极管能够迅速反应并将多余的电压导入地,从而保护后级电路。
信号稳压: 在信号处理设备中,提供稳定的参考电压,确保信号的稳定传输。
电池保护: 在充电系统中,防止电池因过充而损坏,延长电池的使用寿命。
四、性能优势
低泄漏电流:在反向电压下,BZT52H-C68,115 展现出极低的泄漏电流,使得其在长时间运行下仍能保持高效稳定,确保产品的安全性与可靠性。
高温稳定性:产品在较宽的温度范围内工作,在高温或低温环境下均能保持其电气特性,适应多样化的应用需求。
良好的功率处理能力:最高达到 375mW 的功率处理能力使得该二极管能够应对多种电源波动及过压情况,适合高功率电路的需求。
五、总结
BZT52H-C68,115 齐纳二极管凭借其优越的电气性能、稳定的工作特性以及广泛的应用范围,是电源管理、过压保护和信号稳压等应用场景的理想选择。无论是在高温环境还是高功率工作条件下,Nexperia 生产的该型号齐纳二极管始终能为设计师提供可靠的解决方案,确保他们的产品在市场中具备竞争力。
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