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安世半導體股份有限公司

安世半导体股份有限公司(Nexperia)总部位于荷兰,是一家全球领先的半导体公司,专注于基础半导体器件的设计、生产与销售。自2020年成为闻泰科技的重要子公司以来,安世半导体凭借其丰富的产品组合和强大的生产能力,在全球市场中占据了重要地位。公司员工超过14,000人,年产量超过1,000亿件,涵盖了二极管、逻辑器件、ESD保护器件和MOSFET等多种产品。安世半导体的产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、移动设备等多个领域,致力于为客户提供高效、可靠的解决方案。通过不断创新和优化供应链管理,安世半导体在全球市场中保持着9.4%的市场份额,并获得了多项国际标准认证,包括IATF 16949和ISO 9001等,展现出其对质量和效率的承诺。

分类 :
全部稳压二极管三极管(BJT)逻辑 - 栅极和逆变器场效应管(MOSFET)逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器数字晶体管瞬态抑制二极管(TVS)信号开关/编解码器/多路复用器触发器逻辑门模拟开关/多路复用器肖特基二极管转换器/电平移位器寄存器二极管 - 整流器 - 单静电放电(ESD)保护器件计数器/分频器缓冲器/驱动器锁存器二极管 - 整流器 - 阵列肖特基二极管反相器开关二极管单稳态多谐振荡器电压基准芯片共模滤波器逻辑器件通用二极管开关二极管LED驱动特殊逻辑IC特殊用途晶体管二极管
型号/品牌参数/描述库存/批次价格阶梯(含税)数量操作
BAT54S,215 产品实物图片
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自营BAT54S,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
二极管配置1对串联式复制
正向压降(Vf)800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
库存:301308复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.844
3000+0.8
18000+
量大可议价
合计:0.84
BC847B,215 产品实物图片
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自营BC847B,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
库存:300008复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.444
3000+0.415
45000+
量大可议价
合计:0.44
BAS16,215 产品实物图片
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自营BAS16,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)1.25V@150mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流215mA复制
库存:216651复制
批次 : 2年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.271
3000+0.24
30000+
量大可议价
合计:0.27
PMBT2222A,215 产品实物图片
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自营PMBT2222A,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
库存:207681复制
批次 : 2年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.283
3000+0.25
45000+
量大可议价
合计:0.28
2N7002,215 产品实物图片
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自营2N7002,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
数量1个N沟道复制
漏源电压(Vdss)60V复制
连续漏极电流(Id)300mA复制
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V,500mA复制
库存:202871复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.316
3000+0.28
45000+
量大可议价
合计:0.32
BAV99,215 产品实物图片
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品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23复制
手册:-
二极管配置1对串联式复制
正向压降(Vf)1.25V@150mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流215mA复制
库存:192143复制
批次 : 2年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.17
3000+0.15
45000+
量大可议价
合计:0.17
PMBT4401,215 产品实物图片
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自营PMBT4401,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:TO-236AB复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
库存:127655复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.17
3000+0.15
45000+
量大可议价
合计:0.17
BC856B,215 产品实物图片
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自营BC856B,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)65V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
库存:123946复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+1.58
3000+1.5
18000+
量大可议价
合计:1.58
PMBT2907A,215 产品实物图片
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自营PMBT2907A,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)600mA复制
集射极击穿电压(Vceo)60V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
库存:122219复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.101
3000+0.08
45000+
量大可议价
合计:0.1
BC817-25,215 产品实物图片
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自营BC817-25,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
库存:95945复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.209
3000+0.185
30000+
量大可议价
合计:0.21
BC846B,215 产品实物图片
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自营BC846B,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)65V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
库存:91978复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.374
3000+0.35
45000+
量大可议价
合计:0.37
BZX84-C5V1,215 产品实物图片
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自营BZX84-C5V1,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
二极管配置独立式复制
稳压值(标称值)5.1V复制
反向电流(Ir)2uA@2V复制
稳压值(范围)4.8V~5.4V复制
库存:90901复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+1.27
3000+1.2
30000+
量大可议价
合计:1.27
BAS21,215 产品实物图片
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自营BAS21,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
二极管配置独立式复制
正向压降(Vf)1.25V@200mA复制
直流反向耐压(Vr)250V复制
整流电流200mA复制
库存:90169复制
批次 : 2年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.844
3000+0.8
18000+
量大可议价
合计:0.84
PESD5V0S1BB,115 产品实物图片
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自营PESD5V0S1BB,115复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOD-523复制
手册:-
极性双向复制
反向截止电压(Vrwm)5V复制
钳位电压14V复制
峰值脉冲电流(Ipp)12A@8/20us复制
库存:86746复制
批次 : 2年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.294
3000+0.26
45000+
量大可议价
合计:0.29
PMF170XP,115 产品实物图片
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自营PMF170XP,115复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-323复制
手册:-
数量1个P沟道复制
漏源电压(Vdss)20V复制
连续漏极电流(Id)1A复制
导通电阻(RDS(on))200mΩ@4.5V复制
库存:67450复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.428
3000+0.4
45000+
量大可议价
合计:0.43
BC857C,215 产品实物图片
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自营BC857C,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
晶体管类型PNP复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
库存:65087复制
批次 : 2年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.136
3000+0.12
30000+
量大可议价
合计:0.14
PMBS3904,215 产品实物图片
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自营PMBS3904,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:TO-236AB复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)100mA复制
集射极击穿电压(Vceo)40V复制
耗散功率(Pd)250mW复制
库存:63883复制
批次 : 24+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.0945
3000+0.075
45000+
量大可议价
合计:0.09
BAT54C,215 产品实物图片
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自营BAT54C,215复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-23-3复制
手册:-
二极管配置1对共阴极复制
正向压降(Vf)800mV@100mA复制
直流反向耐压(Vr)30V复制
整流电流200mA复制
库存:63325复制
批次 : 2年内复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+0.534
3000+0.499
45000+
量大可议价
合计:0.53
BAS316,115 产品实物图片
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自营BAS316,115复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOD-323-2-2复制
手册:-
正向压降(Vf)1.25V@150mA复制
直流反向耐压(Vr)100V复制
整流电流250mA复制
耗散功率(Pd)400mW复制
库存:63084复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+2.09
3000+2
30000+
量大可议价
合计:2.09
BC817-40W,115 产品实物图片
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自营BC817-40W,115复制
品牌:Nexperia(安世)复制
封装:SOT-323复制
手册:-
晶体管类型NPN复制
集电极电流(Ic)500mA复制
集射极击穿电压(Vceo)45V复制
耗散功率(Pd)290mW复制
库存:63032复制
批次 : 25+复制
最小包 : 3000复制
起订量 : 1复制
增量 : 1复制
1+2.09
3000+2
18000+
量大可议价
合计:2.09
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