晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 耗散功率(Pd) | 350mW |
直流电流增益(hFE) | 400@10mA,1V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 射基极击穿电压(Vebo) | 4V |
数量 | 1个PNP |
MMBTA56 是一种高性能的 NPN 型晶体管,在电子电路中广泛应用,尤其适用于需要高电压和中等电流放大的场合。它由江苏长电(CJ)制造,采用 SOT-23(SOT-23-3)封装,具有优良的热稳定性和高效的电流放大能力。
MMBTA56 主要应用于以下领域:
在使用 MMBTA56 时,需考虑以下事项:
MMBTA56 是一种功能强大、应用广泛的 PNP 晶体管,特别适合用于各种电子电路中的信号放大、开关控制及电压调节。它的高耐压和中等电流能力使得其在现代电子产品中的应用逐渐增多。无论是低功耗便携设备,还是高功率工业设备,MMBTA56 都能以其优异的性能满足设计要求,推进电子技术的创新与进步。因此,它是电子设计工程师在开发新产品时的理想选择。