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SST25VF016B-50-4I-S2AF 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SST25VF016B-50-4I-S2AFRoHS
商品编码:
BM0222083755复制
品牌:
MICROCHIP(美国微芯)复制
封装:
SOIC-8-208mil复制
包装:
管装复制
重量:
1.7g复制
描述:
IC FLASH 16M SPI 50MHZ复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
SST25VF016B-50-4I-S2AF参数
属性
参数值
接口类型SPI
存储容量16Mbit
时钟频率(fc)50MHz
工作电压2.7V~3.6V
属性
参数值
待机电流5uA
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)100年
功能特性写使能锁存;软件写保护
SST25VF016B-50-4I-S2AF手册
SST25VF016B-50-4I-S2AF概述

产品概述:SST25VF016B-50-4I-S2AF

SST25VF016B-50-4I-S2AF是一款由美国微芯科技(Microchip)推出的高性能非易失性闪存存储器。它采用SPI(Serial Peripheral Interface,串行外设接口)通信协议,提供了灵活的存储解决方案,适用于需要快速读取和写入数据的电子应用。这款存储器在嵌入式系统和各种消费电子、工业控制、汽车电子等领域表现出色。

存储规格及接口

SST25VF016B的存储容量为16Mb,等同于2M x 8位的数据格式。每个数据字的大小为8位,这使得该产品能够高效地存储和处理数据。其存储器接口为SPI,时钟频率可达到高达50MHz,这一速度能够有效满足现代应用对数据交换快速性的需求。SPI接口的广泛应用使得该产品能够与各种微控制器和数字信号处理器轻松集成。

技术参数

  • 工作电压范围:SST25VF016B的工作电压范围为2.7V至3.6V,这个范围确保了在不同供电条件下的稳定性,适应了多种电源环境需求。
  • 工作温度:该器件在-40°C至85°C的广泛工作温度下正常运行,使其非常适合于严酷的应用环境,例如汽车电子设备和工业自动化系统。
  • 写周期和数据处理:其写周期时间为10µs,意味着在进行数据写入时,用户可以灵活而高效地更新存储内容。高效的写入能力显著提升了系统的响应速度和处理性能。

封装与安装

SST25VF016B的封装类型为8-SOIC(Small Outline Integrated Circuit,小型平面集成电路),长度为0.209英寸(约5.30mm宽)。表面贴装型的设计使其适用于紧凑型电路板设计,便于在现代电子设备中实现高密度布局。同时,8-SOIC提供了良好的散热性和机械强度,确保器件在长时间运行中的可靠性。

应用领域

SST25VF016B-50-4I-S2AF广泛应用于各类需要非易失性存储的场合。例如,工业控制系统中的程序存储、汽车电子中的状态数据记录、消费电子产品中的用户配置存储、医疗设备中的数据备份等。其低功耗特性也使得该产品适合在电池供电的设备中使用。

总结

整体而言,SST25VF016B-50-4I-S2AF闪存存储器凭借其高存储容量、高速度和广泛的工作温度范围,成为了许多电子应用中的理想选择。微芯科技凭借其完善的技术背景和创新能力,展现了在新一代闪存存储解决方案中的领导地位。对于设计工程师而言,选择这个产品可以确保他们的设计不仅性能强劲,同时也具备良好的市场前景。无论是在消费电子、工业自动化,还是汽车和医疗设备的应用场合,该器件都能够提供可靠的解决方案。

最新价格

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