
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
LMV331W5-7(MS)参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 比较器数 | 单路 |
| 输入失调电压(Vos) | 800uV |
| 输入偏置电流(Ib) | 2pA |
| 传播延迟(tpd) | 460ns |
| 共模抑制比(CMRR) | 70dB |
| 输出类型 | 开漏 |
| 输出模式 | CMOS |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 静态电流(Iq) | 50uA |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 7V |
| 单电源 | 2.1V~5.5V |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 0.9V~2.75V;-2.75V~-0.9V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 0.8uV/℃ |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA |
LMV331W5-7(MS)手册
LMV331W5-7(MS)概述
LMV331W5-7(MS) 产品概述
LMV331W5-7(MS) 是 MSKSEMI(美森科)推出的一款低功耗、高精度单路电压比较器,封装为 SOT23-5。器件针对便携式与工业控制场景做了电源与输入偏置优化,适合对电压门限检测与逻辑接口要求较高的应用。
一、主要参数亮点
- 共模抑制比 (CMRR):70 dB,保证差分输入误差在共模变化时仍能维持精确比较。
- 输入失调电压 (Vos):800 μV,失调电流 (Ios):1 pA,输入偏置电流 (Ib):2 pA,适合高精度低电流测量场合。
- 失调温漂 (Vos TC):0.8 μV/℃,长期温度稳定性优良。
- 静态电流 (Iq):50 μA,适合电池供电与低功耗系统。
- 传播延迟 (tpd):约 460 ns,兼顾速度与功耗。
- 电源范围:单电源 2.1 V ~ 5.5 V;双电源 ±0.9 V ~ ±2.75 V;最大电源差不得超过 7 V。
- 输出:开漏 (Open-drain),兼容 CMOS 电平,需外接上拉电阻。
- 工作温度:-40 ℃ ~ +85 ℃,适用于工业级温区。
- 封装:SOT23-5,适合空间受限设计。
二、典型应用场景
- 便携与电池供电设备的电压门限检测与电源监控。
- 低电流传感器信号放大与阈值判定(电流源或高阻抗传感器接口)。
- 数字电路互联的电平检测(开漏输出利于线-与逻辑与多点连接)。
- 需要宽供电选择(单电源或双极性供电)的模拟比较场合。
三、设计与使用建议
- 输出为开漏结构,必须外接合适上拉电阻以实现所需逻辑电平;推荐根据速度与功耗权衡选择 4.7 kΩ ~ 100 kΩ,一般 10 kΩ 为常用值。
- 严格保证器件 Vdd 与 Vss 之间电压不超过 7 V。若采用单电源模式,工作电压建议维持在 2.1 V ~ 5.5 V 范围内;双电源模式须满足 ±0.9 V ~ ±2.75 V。
- 对于敏感的高阻抗输入,应加强 PCB 布线与旁路电容(靠近电源引脚放置 0.1 μF 陶瓷旁路),并考虑加入限流或双向 TVS/二极管做 ESD/浪涌保护。
- 若输入信号存在抖动或噪声,建议在比较器前端加入适量滞回(正反馈)以避免振荡。
- 传播延迟约 460 ns,适用于中低速开关应用;对于要求亚微秒级响应的场合需评估整体系统延迟。
四、封装与选型注意
SOT23-5 小型封装利于空间受限电路板部署,焊接与散热特性符合常规手工与自动贴装工艺。选型时请确认是否需要单路比较器满足系统拓扑,及输出开漏特性是否满足后端逻辑需求(若需推挽输出请另行选择)。
总结:LMV331W5-7(MS) 以其低失调、低偏置电流、低静态功耗和灵活的供电方式,适用于便携、传感与工业控制等场景的高精度门限检测。合理布线、上拉电阻与保护措施可确保器件在实际电路中稳定可靠运行。
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