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PTVSHC3D15VUH 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PTVSHC3D15VUH

商品编码:
BM0226015161复制
品牌:
Prisemi 芯导复制
封装:
SOD-323复制
包装:
编带复制
重量:
0.03g复制
描述:
PTVSHC3D15VUH瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供了理想的电气特性,如响应时间快、工作电压低、钳位电压低,与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3D15VUH可保护敏感半导体元件,使其免受静电放电(ESD)和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障复制
数据手册

PTVSHC3D15VUH参数

属性
参数值
反向截止电压(Vrwm)15V
钳位电压30V
峰值脉冲电流(Ipp)60A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)1.6kW@8/20us
击穿电压(VBR)16V
属性
参数值
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容325pF

PTVSHC3D15VUH手册

PTVSHC3D15VUH概述

PTVSHC3D15VUH 产品概述 — Prisemi(芯导)

一、产品简介

PTVSHC3D15VUH 为单路单向(TVS)瞬态抑制器,适用于对短时脉冲过压和静电放电进行保护的场合。器件工作反向电压 Vrwm 为 15V,击穿电压约 16V,能够在瞬态冲击时将系统钳位在安全电压以下,有效保护下游元器件免受损坏。器件由 Prisemi(芯导)提供,封装为小型 SOD-323,便于表面贴装与高密度布局。

二、主要电气参数

  • 反向截止电压(Vrwm):15 V
  • 击穿电压(Vbr):16 V(典型)
  • 钳位电压(Vcl):30 V(在标准 8/20 µs 测试条件下)
  • 峰值脉冲电流(Ipp):60 A @ 8/20 µs
  • 峰值脉冲功率(Ppp):1.6 kW @ 8/20 µs
  • 反向漏电流(Ir):1 µA(在 Vrwm 条件下)
  • 结电容(Cj):325 pF(典型)
  • 通道数:单路
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2(ESD)与 IEC 61000-4-4(EFT)标准

三、典型应用场景

  • 电源总线与受保护电路的浪涌保护(例如:12–15V 系统)
  • 工业控制与仪表的接入口防护
  • 消费电子及通信设备的输入端防护(对电容容忍度高的接口)
  • 其他需要承受高能量脉冲(8/20 µs)且空间受限的应用场合

四、产品优势

  • 高能量吸收能力:1.6 kW 峰值功率及 60 A 峰值脉冲电流,能应对较强瞬态冲击。
  • 低漏电流:1 µA 的低反向电流,适合对静态功耗敏感的系统。
  • 体积小巧:SOD-323 封装,便于自动化贴装及高密度 PCB 设计。
  • 符合 IEC 标准:通过 IEC 61000-4-2/4-4 等防护认证,可靠性高。

五、使用建议与注意事项

  • 由于结电容较大(约 325 pF),不建议用于对高频信号完整性要求很高的高速差分信号线(如 USB3.0、PCIe)。更适合电源线或对电容容忍的 I/O 接口。
  • 在设计 PCB 布局时,应将 TVS 置于受保护端口尽可能靠近接插件或外部引入点,以最小化走线感应和阻抗。
  • 为保证可靠性,选型时请结合实际系统最高冲击电流与允许钳位电压评估,必要时并联或选用更高能量等级的器件。

如需器件数据手册、典型波形、封装尺寸或可替代型号比对,我可继续提供详细资料与建议。

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