类目：
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 肖特基二极管
- 场效应管(MOSFET)
封装：
- SOD-323
- DFN2X2-3L
- SOT-723
型号/品牌参数/描述库存批次价格阶梯(含税)数量操作
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漏源电压(Vdss)：20V复制
连续漏极电流(Id)：1A复制
导通电阻(RDS(on))：450mΩ@1.8V复制
描述：场效应管(MOSFET) 140mW 20V 1A 1个N沟道复制库存：1597复制
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反向截止电压(Vrwm)：4.5V复制
钳位电压：14V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：240A@8/20us复制
峰值脉冲功率(Ppp)：2.8kW@8/20us复制
描述：PTVSHC3N4V5B瞬态电压抑制器专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中替代多层压敏电阻 (MLV) 而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与 MLV 相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N4V5B可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N4V5B采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为4.5伏。它用于满足IEC 61000 - 4 - 2（±30KV空气放电、±30kV接触放电）的ESD抗扰度要求。复制库存：388复制
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反向截止电压(Vrwm)：7V复制
钳位电压：19V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：260A@8/20us复制
峰值脉冲功率(Ppp)：4.3kW@8/20us复制
描述：PTVSHC3N7VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。其特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，且与MLV相比，不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3N7VU可保护敏感半导体元件免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N7VU采用DFN2×2 - 3L封装，工作电压为7V。它可满足IEC 61000 - 4 - 2标准的ESD抗扰度要求（±30KV空气放电、±30KV接触放电）。复制库存：89复制
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反向截止电压(Vrwm)：3.3V复制
钳位电压：21V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：20A@8/20us复制
描述：PTVSLC3D3V3B是一款用于高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器，旨在保护敏感电子设备免受因静电放电（ESD）、雷击及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或闩锁效应。所有引脚采用IEC61000 - 4 - 2空气放电法可承受15kV的ESD脉冲，能满足4级要求。复制库存：58复制
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RoHS
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二极管配置：1个独立式复制
正向压降(Vf)：500mV@1A复制
直流反向耐压(Vr)：40V复制
整流电流：1A复制
描述：肖特基二极管 500mV@1A 40V 1A复制库存：54复制
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反向截止电压(Vrwm)：15V复制
钳位电压：30V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：60A@8/20us复制
峰值脉冲功率(Ppp)：1.6kW@8/20us复制
描述：PTVSHC3D15VUH瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它们的特点是具有大截面积结，可传导高瞬态电流，为电路板级保护提供了理想的电气特性，如响应时间快、工作电压低、钳位电压低，与MLV相比无器件性能退化问题。PTVSHC3D15VUH可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障复制库存：44复制
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极性：单向复制
反向截止电压(Vrwm)：3.3V复制
钳位电压：6.5V；9V；7.4V复制
峰值脉冲电流(Ipp)：15A@8/20us复制
描述：PESDHC3D3V3U可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件造成的损坏或故障影响。它们具有大截面积结，可传导高瞬态电流，具备适用于电路板级保护的理想电气特性，如响应时间快、工作电压低。在不适合使用阵列的应用中，它为设计人员提供了保护一条单向线路的灵活性。复制库存：3复制
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