

| 正向压降(Vf) | 1.1V@1A | 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
| 整流电流 | 1A | 反向电流(Ir) | 5uA@1kV |
| 工作结温范围 | -55℃~+150℃ |
UMW(友台半导体)出品的 1N4007(A7) 是一款通用型硅整流二极管,适用于高压整流与一般保护电路。器件在 1A 电流工况下典型正向压降为 1.1V,具备 1kV 的直流反向耐压和在该电压下 5μA 的低反向漏电流,结温工作范围宽(-55℃~+150℃),适应工业级温度要求。
这些参数表明该器件在高压直流整流、反向保护和一般电源线路中的可靠性较好,且在高压下保持较小的泄漏电流。
封装:SOD-123FL,适合表面贴装工艺(SMT)。
引脚与极性:封装上通常有阴极(K)标识带,安装时注意极性方向。SOD-123FL 体积小,便于高密度 PCB 布局,但散热能力受限,需在布局时考虑铜箔散热。
SOD-123FL 封装散热依赖 PCB 铜箔与周边走线,建议在器件下方和侧面增加散热铜箔并通过热过孔与内层或底层铜连接。长期可靠运行应避免结温接近上限,按经验对额定电流进行降额使用并监控结温。装配时遵循 SMT 焊接工艺规范,避免多次回流造成封装应力。
建议在设计验证阶段做以下测试:高压耐压测试、温度循环、ESD 和浪涌冲击测试,以及在目标应用下的长期老化测试。关注在高电压下的反向漏流随温度上升的变化,以确保在高温工况下仍满足系统要求。
1N4007(A7) 适合替代传统 1N4007 的高压整流用途,但若需要更低正向压降或更快恢复时间,可选用肖特基或快恢复二极管。选型时关注耐压、正向压降、漏电流、恢复时间与封装散热能力的权衡。
以上为基于 UMW(友台)1N4007(A7) 的产品概述与工程建议,如需详细的电气特性曲线、封装尺寸或推荐 PCB 尺寸,请告知,我可提供更具体的数据与参考布局示意。