
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 整流电流 | 30A |
| 正向压降(Vf) | 1.5V |
| 直流反向耐压(Vr) | 600V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 90A |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
GC3D10060A 是国晶微半导体(SUPSiC)推出的一款 600V 等级碳化硅(SiC)肖特基整流二极管,采用 TO-220-2 封装,面向中高功率开关电源、逆变器和整流应用。器件以高温可用性、低正向压降和优良的浪涌承受能力为特色,适合在要求高效率、体积小、散热受限的场合替代传统硅整流器件。
TO-220-2 封装便于安装在常见散热器上。尽管 SiC 具有较高的热稳定性,但在 30A 等级连续负载下仍需合理散热设计:
GC3D10060A 的宽温工作范围和高浪涌承受能力使其在工业级环境下表现出较好的稳定性。具体的寿命与可靠性参数(如热阻、漏电随温度上升的变化、寿命测试结果)应以官方数据手册与认证报告为准,设计时建议参考厂方提供的应用指导与可靠性试验数据进行验证。
总结:GC3D10060A 以 600V 耐压、30A 连续电流和 1.5V 典型正向压降为核心参数,结合 SiC 器件的高温与高频优势,适合追求高效率、小体积与高可靠性的电力电子系统。购买与设计前请参阅完整数据手册以获得详尽电气特性与热性能曲线。