GAQV258EH 产品实物图片
GAQV258EH 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

GAQV258EH

商品编码: BM0227373305复制
品牌 : 
SUPSiC(国晶微半导体)复制
封装 : 
SMD-6复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
GAQV258EH 1 Form A(SPST-NO) 负载电压:1500V复制
库存 :
249(起订量1,增量1)复制
批次 :
25+复制
数量 :
X
9.42
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.42
--
1000+
¥9.1
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

GAQV258EH参数

触点形式1A(单刀单掷-常开)连续负载电流45mA
负载电压1.5kV正向压降(Vf)1.2V
正向电流(If)7mA导通电阻90Ω
隔离电压(Vrms)5kV导通时间(Ton)200us
截止时间(Toff)50us输入类型AC,DC
工作温度-40℃~+85℃总功耗(Pd)500mW

GAQV258EH手册

GAQV258EH概述

GAQV258EH 产品概述

一 主要特性

GAQV258EH 是国晶微半导体(SUPSiC)推出的高压小电流固态开关器件,触点形式为 1A(单刀单掷,常开,SPST‑NO)。器件支持最高负载电压 1500V,连续负载电流 45mA,适合高压低功率的信号和偏置开关场合。输入端可接 AC 或 DC,典型正向压降 Vf = 1.2V(If = 7mA),导通电阻约 90Ω,器件隔离电压 Vrms = 5kV,工作温度范围 -40℃~+85℃,整机功耗 Pd = 500mW,封装为 SMD‑6,适合表面贴装加工。

二 电气参数解读

  • 输入:兼容交流或直流驱动,典型驱动电流 7mA 时正向压降 1.2V,便于与 MCU、驱动芯片或隔离电路直接配合。
  • 输出:1500V 的耐压能力使其适用于高压测量与高压控制路径,但连续输出电流受限为 45mA,适合信号级或偏置级开关,非用作大功率负载开关。导通电阻约 90Ω,会产生一定压降与热耗损。
  • 隔离与耐压:5kV rms 的隔离电压满足大多数工业/仪器级隔离要求,适合高压侧与控制侧安全隔离设计。
  • 切换性能:导通时间 Ton ≈ 200µs,截止时间 Toff ≈ 50µs,属于中等速度开关,适合低频或断续控制,不适合高频功率开关应用。

三 封装与热管理

SMD‑6 表面贴装封装便于自动化贴装与小型化布局。由于器件最大功耗仅 500mW,需在 PCB 布局时注意散热路径与散热铜箔面积,避免长期在高温下工作导致性能退化。高压应用同时要注意器件周围的爬电距离与涂覆/绝缘处理。

四 典型应用场景

  • 高压测试仪器中的高压信号开关与偏置切换
  • 电表与传感器的高压隔离采样路径
  • 医疗检测与分析仪器(满足隔离要求的前提下)
  • 工业自动化中高压控制信号的安全隔离与切换

五 使用建议与注意事项

  • 由于最大连续电流仅 45mA,避免驱动负载电流过大或长时间短路;若存在脉冲电流,应考虑等效热耗与脉冲宽度对器件 Pd 的影响。
  • 输入驱动电流应保证达到器件导通阈值,建议保留一定裕量(例如 7–10mA)以确保可靠导通。
  • 在高压环境下,PCB 设计需满足相应的空隙与爬电距离规范,并考虑涂覆或绝缘材料以提高污染等级下的耐压可靠性。
  • 注意导通电阻导致的压降与发热,必要时增大散热面积或采用间接冷却。

六 小结

GAQV258EH 提供 1500V 高耐压与 5kV 隔离能力,适用于高压低电流的安全隔离与信号切换场合。选型时应以其低电流额定、导通电阻与开关速度为约束条件,合理配置驱动与 PCB 布局以获得稳定可靠的系统性能。