
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
GAQV258EH

- 商品编码: BM0227373305复制
- 品牌: SUPSiC(国晶微半导体)复制
- 封装: SMD-6复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 1.144g复制
- 描述: GAQV258EH 1 Form A(SPST-NO) 负载电压:1500V复制
GAQV258EH参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 触点形式 | 一组常开:2A(单刀单掷-常开) |
| 连续负载电流 | 45mA |
| 负载电压 | 1.5kV |
| 正向压降(Vf) | 1.2V |
| 正向电流(If) | 7mA |
| 导通电阻 | 90Ω |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 隔离电压(Vrms) | 5kV |
| 导通时间(Ton) | 200us |
| 截止时间(Toff) | 50us |
| 输入类型 | AC,DC |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 总功耗(Pd) | 500mW |
GAQV258EH手册
GAQV258EH概述
GAQV258EH 产品概述
一 主要特性
GAQV258EH 是国晶微半导体(SUPSiC)推出的高压小电流固态开关器件,触点形式为 1A(单刀单掷,常开,SPST‑NO)。器件支持最高负载电压 1500V,连续负载电流 45mA,适合高压低功率的信号和偏置开关场合。输入端可接 AC 或 DC,典型正向压降 Vf = 1.2V(If = 7mA),导通电阻约 90Ω,器件隔离电压 Vrms = 5kV,工作温度范围 -40℃~+85℃,整机功耗 Pd = 500mW,封装为 SMD‑6,适合表面贴装加工。
二 电气参数解读
- 输入:兼容交流或直流驱动,典型驱动电流 7mA 时正向压降 1.2V,便于与 MCU、驱动芯片或隔离电路直接配合。
- 输出:1500V 的耐压能力使其适用于高压测量与高压控制路径,但连续输出电流受限为 45mA,适合信号级或偏置级开关,非用作大功率负载开关。导通电阻约 90Ω,会产生一定压降与热耗损。
- 隔离与耐压:5kV rms 的隔离电压满足大多数工业/仪器级隔离要求,适合高压侧与控制侧安全隔离设计。
- 切换性能:导通时间 Ton ≈ 200µs,截止时间 Toff ≈ 50µs,属于中等速度开关,适合低频或断续控制,不适合高频功率开关应用。
三 封装与热管理
SMD‑6 表面贴装封装便于自动化贴装与小型化布局。由于器件最大功耗仅 500mW,需在 PCB 布局时注意散热路径与散热铜箔面积,避免长期在高温下工作导致性能退化。高压应用同时要注意器件周围的爬电距离与涂覆/绝缘处理。
四 典型应用场景
- 高压测试仪器中的高压信号开关与偏置切换
- 电表与传感器的高压隔离采样路径
- 医疗检测与分析仪器(满足隔离要求的前提下)
- 工业自动化中高压控制信号的安全隔离与切换
五 使用建议与注意事项
- 由于最大连续电流仅 45mA,避免驱动负载电流过大或长时间短路;若存在脉冲电流,应考虑等效热耗与脉冲宽度对器件 Pd 的影响。
- 输入驱动电流应保证达到器件导通阈值,建议保留一定裕量(例如 7–10mA)以确保可靠导通。
- 在高压环境下,PCB 设计需满足相应的空隙与爬电距离规范,并考虑涂覆或绝缘材料以提高污染等级下的耐压可靠性。
- 注意导通电阻导致的压降与发热,必要时增大散热面积或采用间接冷却。
六 小结
GAQV258EH 提供 1500V 高耐压与 5kV 隔离能力,适用于高压低电流的安全隔离与信号切换场合。选型时应以其低电流额定、导通电阻与开关速度为约束条件,合理配置驱动与 PCB 布局以获得稳定可靠的系统性能。
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