注：图像仅供参考，请参阅产品规格
TC6320TG-G
品牌 :
MICROCHIP(美国微芯)
封装 :
SOIC-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
N/P-Channel Enhancement-Mode Dual MOSFET Pair
库存 :
100(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
9.79按整 :
圆盘(1圆盘有3300个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥9.79
--
20+
￥9.68
--
50+
￥9.58
--
33000+
产品参数
产品手册
常见问题
TC6320TG-G参数
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
TC6320TG-G手册
TC6320TG-G问题
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