FGA90N33ATDTU

FGA90N33ATDTU 产品概述

1. 产品简介

FGA90N33ATDTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的高性能 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）器件。该器件采用通孔安装类型，封装为 TO-3P，适用于高功率应用场景。其设计旨在提供高效的开关性能和可靠的操作，广泛应用于工业控制、电机驱动、电源转换等领域。

2. 关键特性

• 高电流能力：集电极电流（Ic）最大值为 90A，脉冲电流（Icm）可达 330A，适合高负载应用。
• 高电压耐受：集射极击穿电压（Vce）最大值为 330V，确保在高压环境下的稳定运行。
• 低导通损耗：在 Vge=15V 和 Ic=20A 条件下，集射极导通电压（Vce(on)）最大值为 1.4V，有效降低功耗。
• 快速开关速度：反向恢复时间（trr）仅为 23ns，提升开关效率，减少开关损耗。
• 宽工作温度范围：工作温度范围为 -55°C 至 150°C（结温 TJ），适应各种环境条件。
• 高功率处理能力：最大功率为 223W，满足高功率需求。

3. 封装与安装

FGA90N33ATDTU 采用 TO-3P 封装，这是一种经典的金属封装形式，具有良好的散热性能和机械强度。封装尺寸为 TO-3P-3，SC-65-3，适合通孔安装，便于在 PCB 上进行固定和散热管理。

4. 应用领域

由于其优异的电气性能和可靠性，FGA90N33ATDTU 广泛应用于以下领域：

• 工业控制：用于电机驱动、变频器、伺服控制器等，提供高效的功率转换和控制。
• 电源转换：适用于开关电源、逆变器、UPS 等，确保稳定的电源输出。
• 新能源：在太阳能逆变器、风力发电系统中，实现高效的能量转换。
• 家电：用于空调、洗衣机等家电的电机控制，提升能效和可靠性。

5. 性能优势

• 高效能：低导通损耗和快速开关速度，显著提高系统效率。
• 高可靠性：宽工作温度范围和坚固的封装设计，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。
• 易于集成：标准输入类型和通孔安装方式，便于在现有系统中集成和使用。

6. 技术参数

• 安装类型：通孔
• 集电极电流（Ic）：90A（最大值）
• 栅极电荷：95nC
• 输入类型：标准
• IGBT 类型：沟道
• 集射极击穿电压（Vce）：330V（最大值）
• 集射极导通电压（Vce(on)）：1.4V @ 15V，20A
• 集电极脉冲电流（Icm）：330A
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 最大功率：223W
• 反向恢复时间（trr）：23ns
• 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装：TO-3P

7. 结论

FGA90N33ATDTU 是一款高性能的 IGBT 器件，凭借其高电流能力、高电压耐受、低导通损耗和快速开关速度，成为高功率应用的理想选择。其坚固的 TO-3P 封装和宽工作温度范围，确保了在各种环境下的可靠性和稳定性。无论是工业控制、电源转换还是新能源领域，FGA90N33ATDTU 都能提供卓越的性能和高效的解决方案。