LM358N(XBLW)参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 放大器数 | 2 |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 32V |
| 输入失调电压(Vos) | 5mV |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 7uV/℃ |
| 压摆率(SR) | 600V/ms |
| 输入偏置电流(Ib) | 45nA |
| 输入失调电流(Ios) | 3nA |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 共模抑制比(CMRR) | 90dB |
| 静态电流(Iq) | 500uA |
| 输出电流 | 40mA |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
| 单电源电压 | 3V~24V |
| 双电源电压(Vee~Vcc) | -12V~-1.5V;1.5V~12V |
LM358N(XBLW)手册
LM358N(XBLW)概述
LM358N (XBLW) 产品概述
一、简介
LM358N(XBLW 芯伯乐)为双路运算放大器,适用于低功耗、单电源或分离电源系统中的信号放大与处理。器件在常温工业级范围内工作,封装为常见的 DIP-8,便于面包板和插装式电路板应用与调试。
二、主要参数
- 共模抑制比(CMRR):90 dB
- 最大电源宽度(Vdd − Vss):32 V
- 单电源工作电压:3 V ~ 24 V
- 分电源参考范围:按规格书配置(示例值:Vee ~ Vcc:-12 V ~ -1.5 V;1.5 V ~ 12 V)
- 输入失调电压(Vos):5 mV
- 输入偏置电流(Ib):300 nA
- 输入失调电流(Ios):3 nA
- 压摆率(SR):600 V/ms(即约 0.6 V/µs)
- 静态电流(Iq):500 µA
- 输出电流:最大 40 mA
- 放大器数量:双路
- 工作温度:0 ℃ ~ +70 ℃
- 封装:DIP-8
三、特点与优势
- 低静态电流,适合电池供电或待机要求高的应用;
- 宽电源电压范围,支持低压单电源系统及部分分电源配置;
- 较高的共模抑制比与低输入失调,利于精确信号放大与差分测量;
- 双路输出,节省系统空间与成本,DIP-8 封装便于快速样机验证。
四、典型应用
- 传感器信号前端放大(温度、压力、应变等)
- 低频滤波与积分/微分电路
- 电池供电的便携设备模拟电路
- 比较、驱动小负载及一般模拟运算模块
五、封装与工作注意
- 封装:DIP-8,便于插装与焊接;注意脚位与 PCB 布局一致;
- 温度与电流:在接近最大输出电流或高温环境下注意散热与功耗管理;
- 电源与旁路:建议于供电端做良好去耦(如 0.1 µF 陶瓷与 10 µF 电解并联),避免振荡与瞬态干扰;
- 输入/输出保护:避免输入超出电源轨范围或输出持续短路,必要时加限流或保护电路。
六、设计建议
- 在精密测量场合可通过外部电位器或偏置网络对 Vos 做修正;
- 若要求更高带宽或更快边沿响应,注意压摆率限制对大振幅信号的影响;
- 对于低频噪声敏感电路,优化输入端滤波与地线布局,减小偏置与抖动影响。
LM358N (XBLW) 以其实用的参数组合和便捷的封装,适合多种中低速、低功耗的模拟设计场景。更多详尽的电气规范与典型曲线请参见芯伯乐的完整数据手册以获得最佳使用指导。
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