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SLM2101SCA-13GTR 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SLM2101SCA-13GTR

商品编码:
BM0229528731复制
品牌:
Sillumin(数明半导体)复制
封装:
SOIC-8复制
包装:
编带复制
重量:
0.000231复制
描述:
-
数据手册

SLM2101SCA-13GTR参数

属性
参数值
驱动配置半桥
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)290mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)70ns
下降时间(tf)35ns
传播延迟 tpLH160ns
属性
参数值
传播延迟 tpHL220ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.5V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)230uA
功能特性交错导通保护

SLM2101SCA-13GTR手册

SLM2101SCA-13GTR概述

SLM2101SCA-13GTR 产品概述

SLM2101SCA-13GTR是数明半导体(Sillumin) 推出的双路半桥驱动芯片,专为中功率MOSFET和IGBT功率器件设计,集成高驱动能力、快速开关特性及欠压保护功能,适配工业控制、新能源等宽温宽压场景,是简化电力电子系统设计的高性价比解决方案。

一、核心应用定位

产品采用半桥拓扑结构,单芯片集成2个独立驱动通道,可直接驱动上、下桥臂的MOSFET/IGBT,无需额外配置分离式驱动电路,大幅简化半桥电路(如电机驱动、开关电源功率级)的设计流程,降低系统成本与体积。

二、关键性能参数解析

1. 驱动输出能力

输出灌电流(IOL)达290mA,可提供充足的栅极驱动电流,适配栅极电容较大的中功率MOSFET/IGBT,确保功率器件快速导通/关断,减少开关损耗。

2. 时序特性

  • 开关速度:上升时间(tr)70ns,下降时间(tf)35ns,显著缩短功率器件的开关过渡时间,提升系统效率;
  • 传播延迟:低电平到高电平延迟(tpLH)160ns,高电平到低电平延迟(tpHL)220ns,延迟匹配性较好,可降低半桥电路的死区时间设计压力。

3. 电源与温度适应性

  • 工作电压:10V~20V,覆盖12V、15V等常见电源轨,无需复杂电源转换;
  • 静态电流:仅230μA,待机功耗低,适合对功耗敏感的应用(如便携设备辅助电源);
  • 工作温度:-40℃~+125℃,满足工业级环境(户外逆变器、车载系统等)的温度要求。

4. 输入与保护特性

  • 输入逻辑:高电平(VIH)2.5V、低电平(VIL)800mV,兼容3.3V/5V数字逻辑电平,可直接对接MCU、DSP等控制器,无需电平转换;
  • 集成保护:内置欠压保护(UVP),当电源电压低于阈值时自动关断输出,防止功率器件因驱动电压不足导致的误导通或烧毁,提升系统可靠性。

三、封装与品牌背景

  • 封装:采用SOIC-8小封装(5.3mm×7.9mm),体积紧凑,适合高密度PCB布局,可降低系统尺寸;
  • 品牌:数明半导体(Sillumin)专注功率半导体及驱动芯片研发,产品覆盖工业控制、新能源、消费电子等领域,具备成熟的技术支持与供应链保障。

四、典型应用领域

  1. 电机驱动:BLDC无刷电机、伺服电机的半桥驱动(如工业机器人、电动工具);
  2. 开关电源:DC-DC转换器(升压/降压)、AC-DC电源的功率级驱动;
  3. 新能源:光伏逆变器、储能系统的功率模块驱动(适配宽温环境);
  4. 工业控制:PLC、变频器等设备的功率输出级(满足工业级可靠性要求)。

五、产品优势总结

SLM2101SCA-13GTR通过优化设计平衡了驱动能力、开关速度与可靠性,核心优势包括:

  • 高灌电流(290mA)适配中功率MOSFET/IGBT;
  • ns级开关速度降低系统损耗;
  • 宽温宽压(-40℃+125℃/10V20V)覆盖多场景;
  • 集成欠压保护提升系统稳定性;
  • 小封装+低静态电流(230μA)适合高密度低功耗设计;
  • 逻辑兼容简化控制器接口。

该产品是中功率电力电子系统的高性价比驱动选择,可满足工业、新能源等领域的多样化需求。

最新价格

梯度
单价(含税)
5+
¥2.179148
50+
¥1.671408
150+
¥1.45379
500+
¥1.182218

库存/批次

库存
批次
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无法确认批次