
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
SLM2101SCA-13GTR参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT |
| 驱动通道数 | 2 |
| 灌电流(IOL) | 290mA |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 上升时间(tr) | 70ns |
| 下降时间(tf) | 35ns |
| 传播延迟 tpLH | 160ns |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 传播延迟 tpHL | 220ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V |
| 输入低电平(VIL) | 800mV |
| 静态电流(Iq) | 230uA |
| 功能特性 | 交错导通保护 |
SLM2101SCA-13GTR手册
SLM2101SCA-13GTR概述
SLM2101SCA-13GTR 产品概述
SLM2101SCA-13GTR是数明半导体(Sillumin) 推出的双路半桥驱动芯片,专为中功率MOSFET和IGBT功率器件设计,集成高驱动能力、快速开关特性及欠压保护功能,适配工业控制、新能源等宽温宽压场景,是简化电力电子系统设计的高性价比解决方案。
一、核心应用定位
产品采用半桥拓扑结构,单芯片集成2个独立驱动通道,可直接驱动上、下桥臂的MOSFET/IGBT,无需额外配置分离式驱动电路,大幅简化半桥电路(如电机驱动、开关电源功率级)的设计流程,降低系统成本与体积。
二、关键性能参数解析
1. 驱动输出能力
输出灌电流(IOL)达290mA,可提供充足的栅极驱动电流,适配栅极电容较大的中功率MOSFET/IGBT,确保功率器件快速导通/关断,减少开关损耗。
2. 时序特性
- 开关速度:上升时间(tr)70ns,下降时间(tf)35ns,显著缩短功率器件的开关过渡时间,提升系统效率;
- 传播延迟:低电平到高电平延迟(tpLH)160ns,高电平到低电平延迟(tpHL)220ns,延迟匹配性较好,可降低半桥电路的死区时间设计压力。
3. 电源与温度适应性
- 工作电压:10V~20V,覆盖12V、15V等常见电源轨,无需复杂电源转换;
- 静态电流:仅230μA,待机功耗低,适合对功耗敏感的应用(如便携设备辅助电源);
- 工作温度:-40℃~+125℃,满足工业级环境(户外逆变器、车载系统等)的温度要求。
4. 输入与保护特性
- 输入逻辑:高电平(VIH)2.5V、低电平(VIL)800mV,兼容3.3V/5V数字逻辑电平,可直接对接MCU、DSP等控制器,无需电平转换;
- 集成保护:内置欠压保护(UVP),当电源电压低于阈值时自动关断输出,防止功率器件因驱动电压不足导致的误导通或烧毁,提升系统可靠性。
三、封装与品牌背景
- 封装:采用SOIC-8小封装(5.3mm×7.9mm),体积紧凑,适合高密度PCB布局,可降低系统尺寸;
- 品牌:数明半导体(Sillumin)专注功率半导体及驱动芯片研发,产品覆盖工业控制、新能源、消费电子等领域,具备成熟的技术支持与供应链保障。
四、典型应用领域
- 电机驱动:BLDC无刷电机、伺服电机的半桥驱动(如工业机器人、电动工具);
- 开关电源:DC-DC转换器(升压/降压)、AC-DC电源的功率级驱动;
- 新能源:光伏逆变器、储能系统的功率模块驱动(适配宽温环境);
- 工业控制:PLC、变频器等设备的功率输出级(满足工业级可靠性要求)。
五、产品优势总结
SLM2101SCA-13GTR通过优化设计平衡了驱动能力、开关速度与可靠性,核心优势包括:
- 高灌电流(290mA)适配中功率MOSFET/IGBT;
- ns级开关速度降低系统损耗;
- 宽温宽压(-40℃+125℃/10V20V)覆盖多场景;
- 集成欠压保护提升系统稳定性;
- 小封装+低静态电流(230μA)适合高密度低功耗设计;
- 逻辑兼容简化控制器接口。
该产品是中功率电力电子系统的高性价比驱动选择,可满足工业、新能源等领域的多样化需求。
最新价格
梯度
单价(含税)
5+
¥2.179148
50+
¥1.671408
150+
¥1.45379
500+
¥1.182218
库存/批次
库存
批次
2006复制
无法确认批次



