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SLM2104SCA-13GTR
- 商品编码: BM0229528736复制
- 品牌: Sillumin(数明半导体)复制
- 封装: SOIC-8复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.215g复制
- 描述: 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,IN正SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/150ns,DT:520ns, MT:60ns复制
SLM2104SCA-13GTR参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT |
| 驱动通道数 | 2 |
| 灌电流(IOL) | 290mA |
| 拉电流(IOH) | 600mA |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 上升时间(tr) | 70ns |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 下降时间(tf) | 25ns |
| 传播延迟 tpLH | 680ns |
| 传播延迟 tpHL | 180ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 静态电流(Iq) | 220uA |
| 功能特性 | 使能关断;交错导通保护;死区时间控制 |
SLM2104SCA-13GTR手册
SLM2104SCA-13GTR概述
SLM2104SCA-13GTR 半桥栅极驱动器产品概述
SLM2104SCA-13GTR是数明半导体(Sillumin)推出的一款双通道半桥栅极驱动器,专为MOSFET和IGBT功率器件的驱动设计,兼具高驱动能力、快速开关特性与工业级可靠性,适用于多种中低压功率变换与电机控制场景。
一、核心身份与基础定位
该器件采用半桥驱动拓扑,内置2个独立驱动通道,可直接匹配MOSFET或IGBT功率管的栅极驱动需求,解决半桥电路中上下管同步驱动的核心问题。其基础配置明确了应用方向:针对需要半桥拓扑的功率系统,提供高可靠性的栅极驱动解决方案。
二、关键性能参数深度解析
1. 栅极驱动能力
灌电流(IOL)达290mA,拉电流(IOH)达600mA:
- 灌电流可快速泄放功率管栅极存储的电荷,实现快速关断,减少关断损耗;
- 拉电流能高效给栅极充电,加速导通过程,适配不同功率等级的MOSFET/IGBT(如中小功率IGBT、低压MOSFET)。
2. 开关与延迟特性
- 上升时间(tr)70ns、下降时间(tf)25ns:开关速度快,可支持kHz级高频功率变换(如光伏微型逆变器、BLDC电机驱动);
- 传播延迟tpLH(低→高)680ns、tpHL(高→低)180ns:半桥拓扑中,上下管的延迟差异需匹配以避免直通,该参数设计考虑了实际应用需求,降低交叉导通风险。
3. 工作电压与功耗
- 工作电压范围10V~20V:覆盖常见栅极驱动电源(12V、15V、18V),适配不同系统电源设计;
- 静态电流仅220uA:低待机功耗,适合长期待机的工业设备(如UPS、待机模式下的电源模块)。
4. 环境与封装
- 工作温度范围-40℃~+125℃:符合工业级温度标准,可在户外、车间等恶劣环境下稳定工作;
- SOIC-8封装:小尺寸表面贴装封装,便于PCB布局优化,节省系统空间,兼容自动化贴装工艺。
三、特色保护功能:欠压保护(UVP)
SLM2104SCA-13GTR内置欠压保护(UVP) 功能:当工作电压低于设定阈值时,器件主动关断输出,防止功率器件因栅极电压不足导致的误导通、导通不良或热失控,显著提升系统可靠性,避免电压波动引发的故障。
四、典型应用场景
基于参数特性与功能,该器件主要适用于:
- 工业电源:AC-DC变换器、DC-DC升压/降压模块(半桥拓扑)、不间断电源(UPS);
- 电机驱动:无刷直流电机(BLDC)、伺服电机的栅极驱动电路;
- 新能源领域:光伏微型逆变器、电动车辅助电源(12V/24V系统);
- 工业控制:电焊机、感应加热设备、PLC输出驱动等。
五、总结
SLM2104SCA-13GTR作为工业级双通道半桥栅极驱动器,以高驱动能力、快速开关、欠压保护、宽温适应性为核心优势,兼容MOSFET/IGBT负载,适配多种中低压功率系统。其小封装设计与低静态功耗进一步提升了系统集成度与能效,是工业电源、电机驱动等领域的可靠选择。
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