
注:图像仅供参考,请参阅产品规格
HP3000-AD000-HD08R参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 低边 |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT |
| 驱动通道数 | 2 |
| 灌电流(IOL) | 5A |
| 拉电流(IOH) | 5A |
| 工作电压 | 4.5V~30V |
| 上升时间(tr) | 7ns |
| 下降时间(tf) | 9ns |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 22ns |
| 传播延迟 tpHL | 22ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V~2.2V |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.2V |
| 静态电流(Iq) | 260uA |
| 功能特性 | 使能关断;死区时间控制 |
HP3000-AD000-HD08R手册
HP3000-AD000-HD08R概述
HP3000-AD000-HD08R 低边功率器件驱动芯片产品概述
一、产品定位与核心应用
HP3000-AD000-HD08R是慧能泰(Hynetek)推出的双通道低边功率驱动芯片,专门针对MOSFET、IGBT等功率器件的驱动需求优化,兼具高驱动能力、高速开关特性与小封装优势,可满足工业控制、电机驱动、电源转换等领域的高密度、高性能应用场景。
二、关键性能参数亮点
该芯片核心参数围绕“高驱动、快响应、宽适配”设计,关键指标如下:
- 强驱动能力:灌电流(IOL)与拉电流(IOH)均达5A,可直接驱动大栅极电容的功率器件(无需额外级联驱动电路),简化系统设计;
- 高速开关特性:上升时间(tr)仅7ns,下降时间(tf)9ns,支持数十kHz至MHz级高频开关应用(如高效电源、高频电机驱动);
- 对称延迟设计:低→高电平传播延迟(tpLH)与高→低电平传播延迟(tpHL)均为22ns,保证多通道驱动的信号同步性;
- 宽电压适配:工作电压范围4.5V~30V,覆盖5V、12V、24V等常见电源轨,适配不同系统供电需求;
- 低待机功耗:静态电流(Iq)仅260μA,待机状态下功耗极低,适合电池供电或长期待机场景。
三、核心特性与功能优势
- 欠压保护(UVP):内置欠压锁定电路,当供电电压低于阈值时自动关断输出,避免因电压不足导致功率器件驱动能力下降、过流损坏,提升系统可靠性;
- 宽温区可靠性:工作温度覆盖-40℃~+150℃,满足工业级环境(如户外设备、高温车间)的严苛要求,无需额外散热即可稳定运行;
- 小封装高密度:采用DFN-8L(2×2mm)封装,尺寸紧凑且散热性能优于传统SOP封装,适合对PCB空间要求严格的小型化产品(如便携式设备、高密度电源模块)。
四、典型应用场景
HP3000-AD000-HD08R的特性使其适配多类场景:
- BLDC电机驱动:双通道设计可直接驱动H桥拓扑下桥臂MOSFET,配合高速开关实现电机高效调速;
- 开关电源转换:适用于DC-DC同步整流、AC-DC功率因数校正(PFC),高驱动能力与低功耗提升电源效率;
- 工业伺服系统:宽温区与对称延迟满足多轴驱动的同步性与稳定性需求;
- 汽车电子辅助系统:(若符合车规)可用于座椅、车窗等小功率电机驱动,适配汽车12V/24V电源。
五、总结
HP3000-AD000-HD08R通过高驱动能力、高速开关、欠压保护与小封装设计,平衡了性能与可靠性,为功率器件驱动提供高性价比解决方案,可帮助系统设计人员简化电路、降低成本、提升产品密度与效率。
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