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MKDV1GCL-ABA 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MKDV1GCL-ABA
商品编码:
BM0229879949复制
品牌:
MK(米客方德)复制
封装:
LGA-8(6x8)复制
包装:
编带复制
重量:
1.048g复制
描述:
NAND FLASH 50MHz -25℃~+85℃ 1Gbit 2.7V~3.6V LGA-8(6x8)复制
产品参数
产品手册
产品概述
MKDV1GCL-ABA参数
属性
参数值
存储容量1Gbit
接口类型SD接口;SPI
时钟频率(fc)50MHz
工作电压2.7V~3.6V
属性
参数值
工作温度-25℃~+85℃
待机电流170uA
擦写寿命6万次
MKDV1GCL-ABA手册
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无数据
MKDV1GCL-ABA概述

MK DV1GCL-ABA NAND FLASH 产品概述

MK(米客方德)推出的DV1GCL-ABA是一款工业级NAND FLASH存储器件,针对空间紧凑、环境严苛的应用场景优化设计,具备高可靠性、低功耗及宽温适应性等核心特点,是工业控制、物联网终端等领域的理想存储解决方案。

一、产品核心定位与基础信息

DV1GCL-ABA属于MK品牌旗下的工业级NAND FLASH系列,核心存储容量为1Gbit(换算为128MB字节容量),支持2.7V3.6V宽电压输入,工作温度范围覆盖-25℃+85℃(工业级标准),采用LGA-8(6×8mm)封装,整体设计兼顾小型化与可靠性,适配多类电子设备的存储需求。

二、关键性能参数深度解析

1. 存储容量与传输速率

该器件提供1Gbit(128MB)的有效存储容量,可满足中等规模数据存储需求;支持最高50MHz时钟频率,保障数据读写与传输的效率,适配主流NAND FLASH接口协议,可快速完成页级读写操作,减少数据处理延迟。

2. 工作电压与功耗控制

工作电压范围为2.7V~3.6V,覆盖常见嵌入式系统供电区间,无需额外电压转换电路;待机电流仅170μA,低功耗特性显著,适合电池供电的物联网终端、便携设备等场景,延长设备续航时间。

3. 擦写寿命与可靠性

具备6万次擦写循环寿命,远超行业同类产品(普通NAND FLASH多为1万~3万次),可长期稳定承载频繁的擦写操作;结合宽温工作能力,在工业现场、车载环境等温度波动场景下仍能保持性能稳定,降低设备故障风险。

4. 时钟与接口兼容性

50MHz时钟频率支持主流NAND FLASH控制器的对接,兼容标准NAND接口协议,无需特殊驱动开发,可快速集成到现有嵌入式系统中,缩短产品研发周期。

三、封装设计与物理特性

DV1GCL-ABA采用LGA-8(6×8mm)封装,具有以下优势:

  • 小型化设计:6×8mm的紧凑尺寸节省PCB空间,适配小型化设备(如智能传感器、便携存储);
  • 无引脚结构:LGA封装无外露引脚,减少焊接故障点,提升焊接可靠性,同时降低电磁干扰(EMI);
  • 散热性能:封装底部直接接触PCB,散热效率优于传统引脚封装,保障高负载下的温度稳定性。

四、典型应用场景

DV1GCL-ABA的参数特性使其适配多类应用:

  1. 工业控制设备:PLC(可编程逻辑控制器)、工业传感器节点,宽温与高擦写寿命满足工业现场7×24小时运行需求;
  2. 车载电子系统:车机辅助存储、ADAS(高级驾驶辅助系统)数据缓存,-25℃~+85℃温度范围适配车载环境的温度波动;
  3. 物联网终端:低功耗待机电流适合电池供电的IoT设备(如智能电表、环境监测节点),保障长期续航;
  4. 消费电子便携设备:智能手环、便携MP3/MP4等小型设备,小封装与低功耗提升产品竞争力;
  5. 通信辅助模块:小型路由器、基站边缘节点,稳定的宽温性能与高效传输适配通信设备的运行环境。

五、产品选型优势总结

相较于同类存储器件,DV1GCL-ABA具备以下核心优势:

  • 工业级宽温:-25℃+85℃覆盖工业、车载等严苛环境,比商业级(0℃70℃)适用场景更广;
  • 高擦写寿命:6万次擦写循环,降低设备后期更换成本,提升系统长期可靠性;
  • 低功耗设计:170μA待机电流满足电池供电设备需求,延长续航;
  • 小封装适配:LGA-8(6×8mm)节省PCB空间,适合小型化产品集成;
  • 品牌可靠性:MK(米客方德)作为专业存储器件厂商,产品经过工业级测试验证,质量有保障。

综上,MK DV1GCL-ABA是一款兼顾性能、可靠性与成本的工业级NAND FLASH,可广泛应用于对存储容量、宽温、低功耗有需求的各类电子设备中。

最新价格

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1+
¥33.30308
10+
¥29.607072
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¥27.237336
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