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BY25Q40BLUIG(R)
- 商品编码: BM0231020381复制
- 品牌: BOYAMICRO(博雅)复制
- 封装: USON-8(2x3)复制
- 包装: -
- 重量: 0.042g复制
- 描述: 是 4M 位串行外设接口(SPI)闪存,适用于各种大量基于消费的应用,其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构,具有页面擦除粒度,也适用于数据存储,无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化,可满足当今代码和数据存储应用的需求,能更有效地利用内存空间,减少大扇区和大块擦除闪存设备产生的浪费和未使用的内存空间,在保持相同整体设备密度的同时允许添加额外的代码例程和数据存储段。使用 1.65V 至 2.0V 的单低压电源,支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID、128 位唯一序列号和三个 512 字节安全寄存器。复制
BY25Q40BLUIG(R)参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 接口类型 | SPI |
| 存储容量 | 4Mbit |
| 时钟频率(fc) | 85MHz |
| 工作电压 | 1.65V~2V |
| 待机电流 | 0.6uA |
| 擦写寿命 | 100000次 |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 2ms |
| 块擦除时间(tBE) | 8ms |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
BY25Q40BLUIG(R)手册
BY25Q40BLUIG(R)概述
BY25Q40BLUIG(R) SPI Flash产品概述
BY25Q40BLUIG(R)是博雅微(BOYAMICRO)推出的一款低功耗、高速SPI接口Flash存储器,针对电池供电设备、小型化终端及工业级应用场景优化,核心定位为“高性价比、小封装、低功耗”的存储解决方案。
一、产品定位与核心特性
该产品以4Mbit(512KB)存储容量为基础,围绕低电压兼容性、低待机功耗、高速读写三大核心需求设计,适配物联网(IoT)终端、可穿戴设备、工业控制模块、消费电子等对空间和功耗敏感的场景。核心特性包括:
- 支持1.65V~2V宽电压范围,覆盖主流MCU低电压工作模式;
- 85MHz高速SPI时钟,满足实时数据读写需求;
- 0.6μA超低待机电流,显著延长电池供电设备续航;
- 工业级温度范围(-40℃~+85℃),适配严苛环境应用。
二、关键参数详解
1. 存储容量与接口
- 存储容量:4Mbit(即512KB,按字节计为524,288字节),采用标准SPI接口(支持模式0/3),兼容主流MCU的SPI外设,无需额外转换电路;
- 时钟频率:最高85MHz,支持高速连续读写,适合需要快速数据交换的场景(如固件升级、实时数据缓存)。
2. 电气性能
- 工作电压:1.65V~2V,兼容低功耗MCU的1.8V典型工作电压,无需电平转换,简化系统设计;
- 待机电流:0.6μA(典型值),在低功耗模式下几乎不消耗系统电量,适合长期待机的电池设备(如智能手环、无线传感器节点);
- 工作电流:结合读写操作控制在行业领先水平,兼顾性能与续航平衡。
3. 擦写与可靠性
- 擦写寿命:100,000次(块擦除),满足固件频繁升级、数据日志存储等长期使用需求;
- 页写入时间(Tpp):2ms(典型值),支持每页256字节的页编程,可快速写入小块数据;
- 块擦除时间(tBE):8ms(典型值),块大小为64KB,适合批量数据擦除;
- 数据保留(TDR):20年(典型值),25℃环境下长期保存数据,工业温区下仍保持10年以上可靠性。
4. 工作温区
- 工业级温度范围:-40℃~+85℃,适配户外传感器、车载电子、工业控制等严苛环境,无需额外散热防护。
三、封装与空间优势
BY25Q40BLUIG(R)采用USON-8封装(尺寸2mm×3mm),属于超小型无铅封装,相比传统SOP-8封装体积缩小约70%,极大节省PCB空间,适合对尺寸敏感的终端产品(如蓝牙耳机、智能手表、小型物联网节点)。封装引脚定义与主流SPI Flash兼容,可直接替换同类产品,降低设计成本。
四、典型应用场景
- 物联网终端:无线传感器节点、智能门锁、智能家居控制器(低待机延长电池寿命,工业温区适配户外环境);
- 可穿戴设备:智能手环、智能手表(小封装+低电压+低待机,满足穿戴设备小型化与续航需求);
- 工业控制模块:PLC辅助存储、电机控制器(工业温区+高可靠性,适配工厂严苛环境);
- 消费电子:蓝牙耳机、便携式音箱(小封装+高速读写,支持固件升级与音频缓存);
- 汽车电子:车载小屏控制器、胎压监测系统(部分应用适配工业温区,满足车载环境需求)。
五、产品优势总结
BY25Q40BLUIG(R)相比同类4Mbit SPI Flash产品,核心优势体现在:
- 低电压兼容:1.65V~2V宽电压,适配1.8V系统无需电平转换;
- 低待机功耗:0.6μA待机电流,显著提升电池设备续航;
- 小封装设计:USON-8(2×3mm)节省PCB空间,适合小型化终端;
- 工业级可靠性:-40℃~+85℃温区+20年数据保留,满足严苛场景需求;
- 高性价比:均衡性能与成本,适合中低端应用的批量部署。
这款产品凭借上述优势,成为电池供电、小型化、工业级应用场景中4Mbit存储容量的优选方案,可有效简化系统设计并降低整体成本。
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