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SLM2003ECA-DG 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SLM2003ECA-DG

商品编码:
BM0259459947复制
品牌:
Sillumin(数明半导体)复制
封装:
SOIC-8复制
包装:
-
重量:
0.000230复制
描述:
200V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI正LI负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/150ns,DT:520ns,MT:60ns复制
数据手册

SLM2003ECA-DG参数

属性
参数值
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)290mA
拉电流(IOH)600mA
工作电压10V~18V
上升时间(tr)70ns
属性
参数值
下降时间(tf)25ns
传播延迟 tpLH125ns
传播延迟 tpHL125ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
功能特性交错导通保护;死区时间控制

SLM2003ECA-DG手册

SLM2003ECA-DG概述

Sillumin SLM2003ECA-DG 半桥栅极驱动器产品概述

SLM2003ECA-DG是数明半导体(Sillumin)推出的一款双通道半桥栅极驱动器,专为IGBT和MOSFET功率器件的驱动设计,具备高可靠性、宽温适应性及精准时序控制能力,适用于多种中功率工业与电源变换场景。

一、核心身份与基本配置

作为一款双通道半桥驱动方案,SLM2003ECA-DG采用SOIC-8表面贴装封装,体积紧凑,便于高密度PCB布局。其明确适配IGBT和MOSFET两类主流功率器件,满足半桥、H桥等拓扑结构的驱动需求,是电机控制、开关电源等领域的基础驱动单元。

二、关键电气性能参数解析

SLM2003ECA-DG的电气参数针对中功率应用做了优化,核心性能清晰可落地:

  • 工作电压范围:10V~18V,覆盖常见栅极驱动电压区间,兼容多数电源供电方案,无需额外复杂稳压设计;
  • 驱动电流能力:灌电流(IOL)290mA、拉电流(IOH)600mA,足够驱动中等功率IGBT/MOSFET(如600V/50A级器件),平衡驱动能力与功耗;
  • 开关时序特性:上升时间(tr)70ns、下降时间(tf)25ns,下降速度快可有效降低器件关断损耗;传播延迟(tpLH/tpHL)均为125ns,高低电平延迟对称性好,保证半桥上下管切换时序精准,避免直通风险;
  • 通道数:2通道,单芯片实现半桥拓扑的上下管驱动,简化电路设计。

三、特色功能设计

SLM2003ECA-DG内置欠压保护(UVP) 功能,是核心可靠性设计:当工作电压低于设定阈值时,驱动器自动关断输出,防止IGBT/MOSFET因驱动电压不足导致导通损耗骤增、器件过热,或因栅极电压不稳定引发误开通,显著提升系统在电压波动场景下的稳定性,降低器件损坏概率。

四、封装与典型应用场景

采用SOIC-8封装,具备良好散热性能与焊接兼容性,适合批量自动化生产。结合性能特点,典型应用场景包括:

  • 工业电机驱动:伺服电机、变频电机的半桥/H桥驱动电路;
  • 开关电源:AC-DC电源、DC-DC变换器(如LLC谐振变换器、Buck/Boost拓扑)的功率级驱动;
  • 新能源辅助应用:小功率光伏逆变器、电动车辅助电源的功率器件驱动;
  • 电机控制模块:小型工业机器人、电动工具的驱动单元。

五、环境适应性与可靠性

SLM2003ECA-DG支持**-40℃~+125℃** 工业级温度范围,可稳定工作于户外、工业现场等极端温度环境,满足严苛可靠性要求,无需额外温度补偿电路,降低系统设计复杂度。

总结而言,SLM2003ECA-DG以高性价比、宽温适应、精准时序及欠压保护为核心优势,是中功率IGBT/MOSFET驱动场景的可靠选择,可有效简化电路设计、提升系统稳定性。

最新价格

梯度
单价(含税)
1+
¥1.04454
10+
¥0.85932
30+
¥0.70686
100+
¥0.636405
300+
¥0.580125
2500+
¥0.54621

库存/批次

库存
批次
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22+复制