SBR8M100P5-13 产品概述

一、产品简介

SBR8M100P5-13 是 Diodes（美台）推出的超势垒整流器（Super Barrier Rectifier，SBR），针对中小功率、高效率开关电源及功率管理场景优化设计。该器件在 8A 工作电流条件下具备极低的正向压降与极小的反向泄漏，适合要求低导通损耗与高电压耐受性的应用。

二、主要参数

• 型号：SBR8M100P5-13（Diodes）
• 正向压降 Vf：880 mV @ 8 A
• 直流反向耐压 Vr：100 V
• 整流电流（平均）：8 A
• 反向电流 Ir：2 μA @ 100 V
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：160 A
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +175 ℃
• 封装：Power-DI-5（PDI5）

三、器件特点与优势

• 低正向压降：880 mV @ 8 A 显著降低导通功耗，有利于提高转换效率与降低发热。
• 低反向泄漏：2 μA @ 100 V，在高压工作或断续工作条件下可减小漏电损失，提高系统静态性能。
• 良好的浪涌承受能力：160 A 的非重复峰值浪涌电流能够应对启动或短时过载情形。
• 宽温度范围：-55 ℃ 到 +175 ℃ 的结温能力可满足工业级与汽车类环境的温度考量。
• 紧凑封装：PDI5 封装尺寸小、热途径合理，便于 PCB 布局与散热设计。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）二极管整流或续流回路
• 适配器与充电器输出整流
• DC-DC 转换器的自由轮回路线
• LED 驱动、工业电源与通信电源的整流保护
• 反极性保护与防反向放电电路

五、封装与热管理建议

PDI5（Power-DI-5）封装适合表面贴装工艺，建议在 PCB 上设计较大铜箔散热区并增加过孔导通至底层散热层；关键是保证足够的有效铜面积与良好热通道，以维持器件结温在安全范围内。具体热阻和布局参数请参见厂商数据手册。

六、设计注意事项与建议

1. 在高电流切换场合注意降压与环路寄生，适当布置旁路电容与降噪网络以减少振铃和过冲。
2. 如果系统对正向压降有更严格要求（如进一步降低至 <0.5 V），可评估低压 Schottky，但需权衡其在高压下的泄漏表现。
3. 考虑浪涌能力时应参考系统的启动与短路情形，必要时配合限流或软启动电路。
4. 在高温环境下需重新计算热余量并做老化验证，确保长期可靠性。

七、采购与资料

订购型号：SBR8M100P5-13，品牌：Diodes（美台）。建议在设计前下载并仔细阅读官方数据手册，获取完整的电气特性曲线、封装尺寸与焊接工艺规范，以便进行准确的热平衡与可靠性评估。