ES1D-E3/5AT — VISHAY 超快速恢复二极管 200V / 1A 产品概述

一、产品概括

ES1D-E3/5AT 为 VISHAY（威世）出品的独立式超快速恢复整流二极管，封装为 DO-214AC（SMA）。该器件专为高速开关场合设计，兼顾低正向压降与较短反向恢复时间，适用于中小功率开关电源、逆变器及保护电路等应用场景。

二、主要电气参数

• 正向压降（Vf）：920 mV @ IF = 1 A
• 直流反向耐压（Vr）：200 V
• 连续整流电流：1 A
• 反向电流（Ir）：5 µA @ VR = 200 V
• 反向恢复时间（Trr）：35 ns
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：30 A
• 工作结温范围：-55 ℃ 至 +150 ℃
• 封装：DO-214AC（SMA）

以上参数为典型/额定条件下值，具体工作时请参考厂方数据表以获取温度与频率依赖特性。

三、性能特点与优势

• 低正向压降：约0.92 V @1 A，降低导通损耗，提高效率。
• 超快速恢复：35 ns 的反向恢复时间，有助于减小开关瞬态损耗与电磁干扰（EMI）。
• 低反向漏电流：200 V 时仅约 5 µA，适合高压整流与待机电路。
• 良好浪涌承受能力：30 A 的峰值冲击电流，能承受短时启动或故障浪涌。
• 宽温度范围：-55 ℃ 至 +150 ℃，适合工业级环境。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）中的输出整流或主开关回收回路。
• 逆变器与电机驱动的自由轮二极管（freewheeling）。
• 输入整流与极性保护电路。
• 二极管整流与能量回收电路，要求快速切换且耐压在 200 V 以内的场合。

五、封装与热管理建议

• DO-214AC（SMA）为表面贴装封装，适配常用 SMT 工艺。焊盘设计应保证良好热散出并防止应力集中。
• 虽属 1 A 级器件，但长期工作时需关注结温上升，建议根据电流和频率进行适当散热设计与热仿真。
• 在高开关频率或高电流脉冲场景下，建议留出足够的铜箔面积并靠近电源散热平面以降低结温并提升可靠性。

六、选型与使用注意事项

• 若系统对反向恢复特性要求更严格（更短 Trr 或软恢复），需考虑更高阶或专用软恢复器件。
• 在高温或高压长期运行时，应对反向漏电流与 Vf 随温度升高的变化进行评估并预留裕量。
• 峰值浪涌 Ifsm 为非重复值，重复冲击会降低器件寿命，应避免在电路中频繁承受该应力。
• 参考 VISHAY 官方数据表进行 PCB 布局、焊接工艺（回流温度曲线）及可靠性评估。

如需完整电气特性曲线、典型损耗图或封装尺寸图，请参考 VISHAY 官方 ES1D 系列数据手册或联系供应商获取样品与技术支持。