MURA120T3G-JSM 产品概述

MURA120T3G-JSM 是杰盛微（JSMSEMI）推出的一款通用独立式二极管，采用 SMA 封装，适用于开关电源、整流及一般电子保护电路等场景。该器件在中低功率整流与浪涌抑制方面表现可靠，具有较低的反向漏电与较高的峰值浪涌承受能力，适合在空间受限且对散热有一定设计余量的应用中使用。

一、主要特点

• 品牌：JSMSEMI（杰盛微）；型号：MURA120T3G-JSM。
• 封装：SMA（独立式，便于单件更替与散热设计）。
• 反向耐压：200 V（适合多数隔离电源与中低压整流应用）。
• 反向漏电流：典型 2 μA @ 200 V（低漏电有利于高阻负载与节能设计）。
• 峰值浪涌电流（Ifsm）：50 A（非重复峰值，适应启动或短时冲击电流）。
• 工作结温范围：-55 ℃ 至 +150 ℃（宽温区间，适合工业级环境）。

二、电气性能说明（典型/额定）

• 正向压降（Vf）：资料中给出两组参考值——典型 0.875 V @ 1 A；在更高电流工况下可达约 1.0 V @ 2 A。建议设计时以较保守的较高压降值（如 1.0 V）进行热耗与功率损耗评估。
• 额定整流电流（If(av)）：有描述标注 1 A；另有参数来源显示 2 A。实际选型请以最终规格书或样品测试为准，并根据封装散热条件决定长期允许电流。SMA 封装在无额外散热时常需进行适度降额使用。
• 反向漏电（Ir）：2 μA @ 200 V（典型），适用于对漏电敏感的应用。

三、典型应用场景

• 开关电源（整流、反向保护）。
• 通用整流电路及电源输入端保护。
• 浪涌抑制与短时过流承受（配合熔断或限流措施）。
• 工业控制、电机驱动的辅助电路或逆变器小信号路径。

四、热管理与可靠性建议

• 由于正向压降在高电流时会引起明显的功耗，建议在持续大电流工作时提供良好铜箔散热或使用散热基板，避免器件过热导致寿命下降。
• 在高结温环境（>100 ℃）下，应适当降额使用并通过实际样件测试验证长期可靠性。
• 峰值浪涌能力有限（50 A，单次非重复），不建议将其作为长期承受大量冲击电流的主件，必要时配合限流器件或浪涌抑制元件一同使用。

五、PCB 布局与焊接建议

• 对于 SMA 封装，保持焊盘与铜层足够面积以增强散热；通过热盲孔或多层铜连接改善散热性能。
• 焊接工艺应控制在封装耐温范围内，避免重复高温回流影响器件性能。
• 在高频开关电源中，如需更快的恢复特性，请在选型时确认恢复时间参数或考虑专用快恢复/肖特基二极管替代方案。

六、选型与替代建议

• 在最终设计中建议获得并核对 JSMSEMI 正式规格书（Datasheet），以确认 If(av)、热阻、反向恢复时间等完整参数。
• 若应用对开关损耗或正向压降极为敏感，可考虑肖特基二极管或快恢复二极管作为替代；若需要更高电流承受能力，可选用更大封装（如 SMB、SMC）型号。
• 购买与样品测试建议通过正规渠道联系 JSMSEMI 或授权代理，确认批次一致性与质量保证。

备注：上述正向压降与额定整流电流在不同资料中存在差异（0.875 V@1 A 与 1.0 V@2 A、If(av) 为 1 A 或 2 A），请在工程投产前以厂家最终数据表为准并进行样机验证。