TPS51116RGER 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TPS51116RGER

商品编码: BM0259575524复制
品牌 : 
TI(德州仪器)复制
封装 : 
VQFN-24(4x4)复制
包装 : 
编带复制
重量 : 
复制
描述 : 
DC-DC电源芯片 -40℃~+85℃ 外置 VQFN-24-EP(4x4)复制
库存 :
345(起订量1,增量1)复制
批次 :
22+复制
数量 :
X
4.03
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.03
--
3000+
¥3.89
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

TPS51116RGER参数

功能类型降压型工作电压3V~28V
输出电压750mV~3V输出电流3A
开关频率400kHz工作温度-40℃~+85℃
同步整流输出通道数1
拓扑结构降压式开关管(内置/外置)外置
输出类型可调

TPS51116RGER手册

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TPS51116RGER概述

TPS51116RGER 产品概述

一、产品简介

TPS51116RGER 是一款面向中低压电源系统的降压型同步整流 DC-DC 控制器/芯片,工作电压范围为 3V 至 28V,输出可调在 0.75V 至 3.0V,最高输出电流可驱动外置功率管至 3A,开关频率典型为 400kHz,工作环境温度为 -40℃ 至 +85℃。器件采用 TI(德州仪器)工艺,封装为 VQFN-24-EP(4×4),适合对效率、尺寸与成本有平衡要求的点对点电源应用。

二、主要特点

  • 宽工作电压:3V ~ 28V,适配各种汽车电子、工业供电与通信前端输入。
  • 可调输出:支持 0.75V ~ 3.0V 的范围,便于为 SoC、FPGA、DSP 等提供中低电压源。
  • 支持同步整流:可配外置上/下功率管以提高转换效率并降低导通损耗。
  • 典型开关频率:400kHz,在效率与外部元器件体积间提供良好平衡。
  • 外置开关管拓扑:便于根据功耗与开关损耗优化 MOSFET 的选择与热设计。
  • 单通道输出:专注单一路降压输出的高性能实现。

三、功能与工作原理

TPS51116RGER 基于降压(Buck)开关拓扑,通过内部驱动信号驱动外置高低侧 MOSFET,实现脉宽调制控制输出电压。同步整流方式在低压差工况下显著提升效率。输出反馈回路允许将输出电压精确调节到设定值,适配不同负载与动态响应要求。400kHz 的开关频率使得电感与滤波电容尺寸可控制在中等范围,便于板级集成。

四、封装与热性能

VQFN-24-EP(4×4)封装带有中央散热焊盘(EP),有利于热量传导到 PCB,改善热阻。设计时应在 PCB 底层做充足的散热过孔和铜箔加大散热面,保证在 3A 工作电流和高输入压差时系统热稳定性。器件工作温度范围 -40℃ ~ +85℃,适用于工业与商用环境。

五、典型应用场景

  • 通信设备中的核心或外设电源
  • 工业控制器、PLC 供电
  • 汽车车载辅助电源(需评估具体车规要求)
  • FPGA/ASIC/微处理器的点对点稳压电源
  • 电池供电系统与分压模块

六、设计要点与注意事项

  • 外置 MOSFET 选择:根据最大电流与开关频率选择低 RDS(on) 且开关损耗合适的器件,并兼顾门极电荷以匹配驱动能力。
  • 输入/输出滤波:输入需足够旁路电容以抑制瞬态;输出采用低等效串联电阻(ESR)电容以保证稳定性与低纹波。
  • 布局:VIN、PH、SW、GND、FB 等关键信号走线要短且粗,功率回路应建立完整的低阻回流路径,散热焊盘与过孔要充分。
  • 热管理:在高功率场合关注 PCB 铜箔面积和散热过孔数量,必要时评估降频或并联分担方案。
  • 稳定性与环路补偿:根据外部电感与输出电容特性调节补偿网络,确保瞬态响应与系统稳定性。

七、总结与选用建议

TPS51116RGER 适合需要外置功率 MOSFET 的降压设计场合,提供宽输入、可调输出与较高电流驱动能力。若项目要求在 3V~28V 输入范围内为 0.75V~3.0V 的负载提供稳定、效率可控的电源,且希望通过外置器件优化热与效率,TPS51116RGER 是值得考虑的解决方案。最终选型请参照 TI 官方数据手册获取完整性能、引脚定义与应用示例,并结合系统热设计与 EMC 要求完成板级验证。