
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | 钳位电压 | 13V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 3.5A | 峰值脉冲功率(Ppp) | 45W@8/20us |
| 击穿电压 | 6V | 反向电流(Ir) | 500nA |
| 通道数 | 四路 | 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 |
| 类型 | ESD | Cj-结电容 | 0.28pF |

RCLAMP7534P-N是伯恩半导体(BORN) 推出的四路通道ESD防护TVS二极管,采用DFN2010-5封装,专为敏感电子电路的静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)及浪涌(Surge)防护设计。作为小型化、低电容的多路防护器件,它可同时为多个高速信号线路提供可靠保护,适配移动终端、IoT设备等高密度电路场景,是替代传统单通道防护器件的高效方案。
该器件的参数围绕“低损耗、强防护、适配高速信号”三个核心设计,关键参数意义如下:
结电容(Cj=0.28pF):低电容是适配高速信号的核心——可减少对高速信号的负载效应,避免信号上升沿/下降沿失真,兼容USB 3.0(5GHz)、HDMI 2.0等高速接口传输要求。
RCLAMP7534P-N通过三项核心EMC防护标准,覆盖常见干扰场景:
采用DFN2010-5封装(无引脚扁平封装),尺寸约2.0mm×1.0mm×0.5mm,体积仅为传统SOT-23的1/3,极大节省PCB空间;无引脚设计减少寄生电感,提升高频信号传输性能,同时利于散热,避免脉冲防护时的热积累。
结合多路防护、低电容、小封装特点,主要应用于:
该器件凭借上述优势,成为高速信号线路防护的高性价比选择,可有效提升电子设备的抗干扰能力与可靠性。