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LM211DRG 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

LM211DRGRoHS
商品编码:
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品牌:
HGC(深圳汉芯)复制
封装:
SOP-8复制
包装:
编带复制
重量:
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描述:
-
产品参数
产品手册
产品概述
LM211DRG参数
属性
参数值
比较器数单路
输入失调电压(Vos)700uV
输入偏置电流(Ib)1.7nA
传播延迟(tpd)200ns
属性
参数值
输出模式TTL;CMOS
静态电流(Iq)13.8mA
工作温度-40℃~+85℃
LM211DRG手册
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无数据
LM211DRG概述

LM211DRG 单路高速比较器产品概述

一、产品定位与核心特性

LM211DRG是深圳汉芯(HGC)推出的单路高速电压比较器,针对需要快速电平鉴别、多逻辑输出兼容的工业及消费电子场景设计。核心特性聚焦「高速响应+低误差+宽兼容」,可替代传统比较器实现更精准、更灵活的信号处理,无需额外电平转换电路即可适配TTL/CMOS逻辑系统,降低系统BOM成本。

二、关键性能参数详解

1. 输入精度与偏置特性

  • 输入失调电压(Vos):700uV
    远低于普通比较器典型值(通常1mV以上),可有效减少输入信号的鉴别误差,无需额外失调补偿电路即可实现准确的电平判断,适合微弱信号采集场景。
  • 输入偏置电流(Ib):1.7nA
    属于低偏置设计,对高阻抗输入源(如热电偶、光电传感器)友好,避免因偏置电流导致的信号衰减或失真,提升信号采集精度。

2. 高速响应能力

  • 传播延迟(tpd):200ns
    在单路比较器中属于中高速水平,可满足1MHz以下的脉冲信号鉴别、高速电平切换等需求,响应速度优于多数通用比较器(典型tpd>500ns),适合对时间精度敏感的场景(如编码器信号检测)。

3. 输出与功耗特性

  • 输出模式:TTL/CMOS双兼容
    无需额外电平转换芯片即可对接两种逻辑系统,简化系统设计,适配不同厂商的数字电路模块。
  • 静态电流(Iq):13.8mA
    在保持高速响应的前提下实现功耗优化,适合电池供电的便携式设备(如手持测试仪器)或功耗敏感的工业控制系统。

三、封装与工作环境

LM211DRG采用SOP-8表面贴装封装,引脚间距1.27mm,兼容常规自动化贴装设备,便于批量生产;工作温度范围为**-40℃~+85℃**,覆盖工业级温度标准,可稳定工作于户外、车间等温差较大的环境,无需额外散热设计即可应对极端温度变化。

四、典型应用场景

1. 高速电平检测

用于1MHz以下的脉冲信号鉴别(如编码器输出、通信总线信号),200ns延迟确保信号变化被及时捕捉,避免漏检或误判。

2. 过/欠压保护电路

结合分压电阻可实现电源电压、电池电压的过充/欠压检测,700uV失调电压确保保护阈值的准确性,避免误触发或延迟触发。

3. PWM控制与信号整形

对PWM脉冲进行电平转换(TTL转CMOS)或整形,适配不同逻辑系统的驱动需求(如电机驱动、LED调光)。

4. 高阻抗输入信号采集

如热电偶、光电传感器等微弱信号的电平鉴别,1.7nA低偏置电流避免信号失真,提升采集精度。

5. 数字逻辑接口转换

实现TTL与CMOS逻辑电平的双向转换,简化系统设计,降低BOM成本(替代专用电平转换芯片)。

五、应用优势与注意事项

优势总结

  • 宽逻辑兼容:TTL/CMOS双输出无需电平转换,减少外围元件;
  • 高灵敏度鉴别:低失调+低偏置确保微弱信号的准确判断;
  • 工业级可靠性:-40℃~+85℃温度范围,适应恶劣环境;
  • 平衡功耗与速度:13.8mA静态电流兼顾高速响应与低功耗。

注意事项

  • 电源范围:需匹配推荐电源电压(通常单电源5V或双电源±5V,具体参考 datasheet),避免超压损坏;
  • 输入信号限制:输入电压不得超过电源电压范围,否则可能导致输出异常;
  • 静电防护:SOP-8封装无内置ESD保护,需在贴装/使用中做好静电防护(如接地、防静电手环);
  • 输出负载:TTL输出最大负载电流约16mA,CMOS输出需注意驱动能力匹配,避免过载。

LM211DRG凭借「高速、精准、兼容」的核心优势,可广泛应用于工业控制、通信设备、便携式仪器等领域,是替代传统比较器的高性价比选择。

最新价格

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