
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 存储器构架(格式) | DDR2 SDRAM |
| 时钟频率(fc) | 400MHz |
| 存储容量 | 512Mbit |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |

AS4C64M8D2-25BIN是Alliance Memory针对中高速存储需求推出的DDR2同步动态随机存储器(SDRAM),采用64M×8位并联结构,总容量达512Mbit(约64MB),兼顾传输速度与存储密度,适配空间受限、环境严苛的应用场景。核心规格明确:
作为DDR2架构产品,AS4C64M8D2-25BIN支持双倍数据速率传输——每个时钟周期的上升沿和下降沿均可完成一次数据读写,因此在400MHz时钟下,有效数据速率可达800Mbps,满足高清视频、实时数据处理等对带宽的需求。
其64M×8的并联结构,可实现8位并行数据访问,直接适配多数中低端处理器的8位数据总线接口,无需额外位宽转换,降低系统设计复杂度。此外,产品内置高效刷新机制,平衡了存储密度与功耗,适合长时间连续运行的设备,避免过度耗电。
AS4C64M8D2-25BIN采用60-FBGA(细间距球栅阵列)封装,尺寸仅8×10mm,相比传统TSOP封装体积缩小约40%,显著节省PCB空间,适合便携式设备、小型工业模块等对尺寸敏感的场景。
FBGA封装的优势在于:
基于宽温范围、高速传输与小型化封装的特性,AS4C64M8D2-25BIN广泛适配以下场景:
AS4C64M8D2-25BIN的工作电压范围(1.7V~1.9V)兼容主流DDR2供电方案,无需额外电压转换电路,简化系统电源设计。
其工作温度覆盖工业级宽温,通过了高低温存储、循环温度测试等可靠性验证,可在极端环境下稳定运行。Alliance Memory在产品设计中加入了JEDEC标准ESD防护电路,提升静电放电抗扰度,降低生产与使用过程中的损坏风险;同时,存储阵列的刷新周期与错误纠正机制(支持ECC扩展)保障了数据存储的长期可靠性,适合对数据完整性要求较高的应用。