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AS4C64M8D2-25BIN 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AS4C64M8D2-25BINRoHS
商品编码:
BM0263760048复制
品牌:
Alliance Memory复制
封装:
60-FBGA(8x10)复制
包装:
托盘复制
重量:
0.001g复制
描述:
SDRAM-DDR2-存储器-IC-512Mb-(64M-x-8)-并联-400MHz-400ps-60-FBGA(8x10)复制
产品参数
产品手册
产品概述
AS4C64M8D2-25BIN参数
属性
参数值
存储器构架(格式)DDR2 SDRAM
时钟频率(fc)400MHz
存储容量512Mbit
属性
参数值
工作电压1.7V~1.9V
工作温度-40℃~+95℃
AS4C64M8D2-25BIN手册
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无数据
AS4C64M8D2-25BIN概述

AS4C64M8D2-25BIN DDR2 SDRAM 产品概述

一、产品定位与核心规格

AS4C64M8D2-25BIN是Alliance Memory针对中高速存储需求推出的DDR2同步动态随机存储器(SDRAM),采用64M×8位并联结构,总容量达512Mbit(约64MB),兼顾传输速度与存储密度,适配空间受限、环境严苛的应用场景。核心规格明确:

  • 时钟频率:400MHz;
  • 工作电压:1.7V~1.9V(兼容主流DDR2供电);
  • 工作温度:-40℃~+95℃(工业级宽温范围);
  • 封装形式:60-FBGA(8×10mm小型化封装)。

二、关键性能表现

作为DDR2架构产品,AS4C64M8D2-25BIN支持双倍数据速率传输——每个时钟周期的上升沿和下降沿均可完成一次数据读写,因此在400MHz时钟下,有效数据速率可达800Mbps,满足高清视频、实时数据处理等对带宽的需求。

其64M×8的并联结构,可实现8位并行数据访问,直接适配多数中低端处理器的8位数据总线接口,无需额外位宽转换,降低系统设计复杂度。此外,产品内置高效刷新机制,平衡了存储密度与功耗,适合长时间连续运行的设备,避免过度耗电。

三、封装与引脚特性

AS4C64M8D2-25BIN采用60-FBGA(细间距球栅阵列)封装,尺寸仅8×10mm,相比传统TSOP封装体积缩小约40%,显著节省PCB空间,适合便携式设备、小型工业模块等对尺寸敏感的场景。

FBGA封装的优势在于:

  • 热阻低:球栅阵列连接方式散热效率高,可有效散发热量,避免高速运行时的温度累积;
  • 抗干扰强:引脚间距均匀,减少电磁干扰(EMI),保障高速信号传输稳定性,降低数据误码率;
  • 布线方便:引脚布局合理,涵盖时钟(CK/CK#差分时钟)、数据总线(DQ0-DQ7)、地址/命令总线(A0-A12、BA0-BA1 bank选择等)及电源/地引脚,便于系统布线设计。

四、典型应用场景

基于宽温范围、高速传输与小型化封装的特性,AS4C64M8D2-25BIN广泛适配以下场景:

  1. 工业控制领域:PLC可编程逻辑控制器、机器人关节控制器、工业传感器数据采集模块,满足-40℃至+95℃的极端温度需求;
  2. 车载电子系统:汽车仪表盘、ADAS辅助驾驶单元、车载信息娱乐系统,适配汽车级环境可靠性要求;
  3. 通信设备:小型基站、边缘路由器、光纤收发器,支持实时数据转发与存储;
  4. 消费电子:高清机顶盒、便携式多媒体播放器、智能家电控制板,平衡性能与成本。

五、环境适应性与可靠性

AS4C64M8D2-25BIN的工作电压范围(1.7V~1.9V)兼容主流DDR2供电方案,无需额外电压转换电路,简化系统电源设计。

其工作温度覆盖工业级宽温,通过了高低温存储、循环温度测试等可靠性验证,可在极端环境下稳定运行。Alliance Memory在产品设计中加入了JEDEC标准ESD防护电路,提升静电放电抗扰度,降低生产与使用过程中的损坏风险;同时,存储阵列的刷新周期与错误纠正机制(支持ECC扩展)保障了数据存储的长期可靠性,适合对数据完整性要求较高的应用。

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