
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM |
| 存储容量 | 256Mb (16M x 16) |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 143MHz |
| 写周期时间 - 字,页 | 14ns |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 访问时间 | 5.4ns |
| 电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP II |
AS4C16M16SA-7TCN是Alliance Memory推出的易失性同步动态随机存取存储器(SDRAM),属于中容量高速存储器件,专为需要快速数据读写、容量需求适中的电子系统打造。其核心存储容量为256Mb(16M×16位架构),采用并联接口设计,既平衡了性能与成本,又适配主流16位系统的总线架构,覆盖消费电子、工业控制等多领域应用。
该器件采用16M×16位的存储架构,总容量256Mb(约32MB)。16位并行数据总线设计,单次可传输16位数据,相比8位总线效率提升一倍,适合音视频缓存、实时控制数据交换等需要快速数据吞吐的场景。
AS4C16M16SA-7TCN采用54-TSOP II封装(0.400英寸/10.16mm宽),属于表面贴装型(SMD)器件,具备以下优势:
该器件的性能与参数适配多个领域需求,典型应用包括:
Alliance Memory是全球知名存储器件厂商,专注于DRAM、SRAM等产品研发生产。AS4C16M16SA-7TCN遵循JEDEC标准(电子器件工程联合委员会标准),经过温度循环、振动、湿度等严格可靠性测试,确保工作温度范围内的长期稳定性。此外,其封装与引脚定义兼容主流SDRAM设计,便于系统设计人员快速集成到现有方案,降低研发周期。
该器件凭借平衡的性能、可靠的设计与广泛的适配性,成为中低端电子系统存储方案的优选之一。