CH211C参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 协议 | PD |
| 通道数 | 2C |
| 输出功率 | 350mW |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 工作电压 | 5V~28V |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 功能特性 | 热保护;过压保护 |
CH211C手册
CH211C概述
CH211C 产品概述
一、概述
CH211C 是南京沁恒(WCH)推出的高压 Type-C/PD 接口管理芯片,集成高压开关和升压模块,专为 MCU 管理 Type‑C 接口电源、USB PD 信号的高压扩展与保护而设计。器件支持 PD 协议,可用于移动电源、充电器、桌面设备和工业类需双口或多路 Type‑C 管理的方案。
二、主要规格与特性
- 协议支持:USB Power Delivery (PD)。
- 通道配置:支持双 Type‑C(2C)应用,芯片内部集成 4 通道高压开关,方便多路电源路径控制与切换。
- 输出功率:350 mW(器件内部供电或控制回路参考)。
- 工作电压:5 V ~ 28 V,覆盖常见 USB PD 电压区间。
- 工作温度:-40 ℃ ~ +85 ℃,满足工业级可靠性要求。
- 保护功能:内置热保护、过压保护,提高系统可靠性。
- 控制接口:提供 2 线控制接口及中断(IRQ),便于 MCU 集成管理。
- 外部功率管:支持外部 N 型 MOSFET 驱动与控制,利于扩展输出能力。
- 封装:QFN‑16C(2 × 2 mm),体积小、易于 PCB 密集布板。
三、功能块说明
- 高压开关阵列:4 通道高压开关用于控制不同电源路径或 Type‑C 通道的连接/断开,支持外部功率 MOSFET 级联以增强电流承载能力。
- 升压模块:集成用于 PD 信号或控制回路的升压功能,保证在较低输入电压下对控制电路的供电稳定性。
- 控制与通讯:简化的 2 线控制接口(主从或串行控制),并带有中断输出,实时向 MCU 报告状态或故障事件。
四、保护与可靠性
CH211C 在设计上强调安全与长期可靠性:
- 热保护(Thermal Shutdown):当芯片或外部器件温度异常升高时自动限制或断开驱动,防止热失控。
- 过压保护(OVP):在输入或输出电压超出安全范围时进行保护动作,避免下游设备损坏。
- 宽温范围与工业级工艺保证在严苛环境下稳定工作。
五、典型应用场景
- 双口或多口 Type‑C 笔记本及移动电源的端口电源管理与切换。
- USB PD 功率扩展器、PD 协议控制器的高压接口驱动。
- 工业或车载设备中,MCU 对外部 MOSFET 的集中管理与保护。
- 需要小体积、高度集成的桌面充电站与快充适配器方案。
六、封装与外设建议
- 封装:QFN‑16C,2 × 2 mm,建议在 PCB 下方增加焊盘散热/接地处理。
- 外部器件:选用耐压 ≥ 30 V 的 N‑MOSFET,低 RDS(on) 以降低导通损耗;输入侧配置低 ESR 去耦电容;合理选择反馈、滤波与抑制元件以保证 PD 通信稳定。
七、设计注意事项
- 布局:高电流回路尽量短、宽,避免与敏感信号线并行;为芯片的 GND/AGND 提供低阻抗回路。
- 热管理:QFN 底部焊盘应与散热铜箔良好连接,并根据实际功耗评估是否需要额外散热。
- 保护校验:结合外部 MOSFET 的规格,验证在最大工作电压与温度下的安全裕度;对过压和热关断响应进行系统级测试。
- 固件:MCU 侧需实现对 2 线控制接口与中断的异常处理策略,确保在故障时能快速切换或断开电源路径。
CH211C 以小尺寸、高度集成与丰富的保护功能,适合要求稳定、可控的 Type‑C/PD 高压接口管理场景,是 MCU 控制下实现多路 Type‑C 电源管理与保护的理想选择。若需原理图参考、封装资料或评估板信息,请联系 WCH 技术支持。
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