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LBSS5250Y3T1G 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

LBSS5250Y3T1G
商品编码:
BM0264600916复制
品牌:
LRC(乐山无线电)复制
封装:
SOT-89复制
包装:
未知复制
重量:
0.125g复制
描述:
三极管(BJT) 50V 320MHz 2A PNP复制
产品参数
产品手册
产品概述
LBSS5250Y3T1G参数
属性
参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)550mW
直流电流增益(hFE)180
特征频率(fT)320MHz
属性
参数值
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个PNP
LBSS5250Y3T1G手册
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无数据
LBSS5250Y3T1G概述

LBSS5250Y3T1G PNP型三极管产品概述

一、产品核心定位与品牌背景

LBSS5250Y3T1G是乐山无线电股份有限公司(LRC) 推出的高频中功率PNP双极型晶体管(BJT),聚焦中等电流承载、高频响应及宽温可靠性场景,是消费电子、工业控制、射频前端等领域的实用型器件。LRC作为国内老牌分立器件厂商,拥有多年研发生产经验,产品以高可靠性、性价比优势广泛应用于国内外电子整机。

二、关键电气参数深度解析

该器件的核心参数直接决定应用边界与性能表现,关键解析如下:

1. 电压类参数

  • 集射极击穿电压(Vceo):50V(基极开路时集射极最大允许电压),适配多数中低压电源系统;
  • 射基极击穿电压(Vebo):6V,需严格控制基射极电压不超该值,避免发射结反向击穿;
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):400mV(典型值),低饱和压降降低开关导通损耗,适合低功耗场景。

2. 电流类参数

  • 连续集电极电流(Ic):2A,满足小功率继电器、LED阵列等负载驱动需求;
  • 集电极截止电流(Icbo):1μA(典型值),低漏电流降低静态功耗,适配低功耗电路。

3. 增益与频率参数

  • 直流电流增益(hFE):180(测试条件:Ic=50mA、VCE=2V),线性区放大能力良好,可满足小信号放大;
  • 特征频率(fT):320MHz,电流增益降为1时的频率,具备中高频响应能力,支持射频或高速开关。

4. 功率与温度参数

  • 最大耗散功率(Pd):550mW(25℃环境),需结合散热条件降额使用;
  • 工作温度范围:-55℃~+150℃,宽温特性适应工业级、车载级严苛环境。

三、封装与物理特性

LBSS5250Y3T1G采用SOT-89封装,核心特性:

  • 尺寸紧凑(3.0mm×2.5mm×1.1mm),适配便携式设备小型化设计;
  • 3引脚布局(基极B、发射极E、集电极C),焊接兼容性好;
  • 封装材料辅助散热,建议PCB集电极引脚预留≥10mm²铜箔增强散热。

四、典型应用场景

结合参数特性,典型应用包括:

  1. 高速开关电路:低VCE(sat)与高fT,适合LED驱动、按键防抖、小型继电器驱动;
  2. 中高频信号放大:320MHz fT,支持蓝牙/WiFi中频放大、射频前端小信号放大;
  3. 便携式电子:SOT-89封装+宽温,适配手机、平板、智能穿戴的电源管理/信号调理;
  4. 工业控制:-55℃~+150℃宽温,用于传感器信号放大、小型执行器驱动。

五、性能优势与注意事项

1. 核心优势

  • 宽温可靠性:覆盖工业级温度范围;
  • 低导通损耗:400mV饱和压降降低开关功耗;
  • 高频兼顾性:320MHz fT同时满足放大与开关需求;
  • 高性价比:LRC成熟工艺保障性能稳定。

2. 注意事项

  • 电压限制:VBE≤6V(Vebo)、VCE≤50V(Vceo);
  • 降额使用:高温环境下需降低Pd上限,连续Ic≤2A;
  • 散热设计:PCB集电极铜箔≥10mm²;
  • 焊接工艺:回流焊温度≤260℃、时间≤20s。

该器件通过参数平衡满足多场景需求,是中小功率PNP应用的可靠选择。

最新价格

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1000+
¥0.33
20000+

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