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SMUN5235DW1T1G 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SMUN5235DW1T1GRoHS
商品编码:
BM0264602656复制
品牌:
ON(安森美)复制
封装:
SC-88/SC70-6/SOT-363复制
包装:
-复制
重量:
0.031g复制
描述:
数字晶体管 187mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-363复制
产品参数
产品手册
产品概述
SMUN5235DW1T1G参数
属性
参数值
数量2个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)250mW
晶体管类型NPN
直流电流增益(hFE)80
最小输入电压(VI(on))800mV
属性
参数值
最大输入电压(VI(off))600mV
输出电压(VO(on))200mV
输入电阻2.2kΩ
电阻比率0.047
工作温度-55℃~+150℃
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV
集电极截止电流(Icbo)100nA
SMUN5235DW1T1G手册
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无数据
SMUN5235DW1T1G概述

SMUN5235DW1T1G 数字晶体管产品概述

一、产品基本识别

SMUN5235DW1T1G是ON安森美推出的一款双NPN预偏置数字晶体管,型号后缀明确其封装类型为SOT-363(兼容SC-88/SC70-6超小型表面贴装封装)。该器件集成两个带预偏置电阻的NPN晶体管,无需额外偏置电路即可稳定工作,适配高密度PCB布局场景。

二、核心电参数特性

2.1 击穿电压与功率/电流限制

  • 集射极击穿电压(Vceo):50V,可承受50V以下的集射极反向电压,满足多数低压数字电路的耐压需求;
  • 最大集电极电流(Ic):100mA,适用于中小功率负载(如LED、小型继电器等)的驱动;
  • 额定耗散功率(Pd):187mW(产品描述标注),基础参数显示最大耗散功率250mW,实际应用需控制功耗在187mW以内以保证长期可靠性。

2.2 直流增益与开关阈值

  • 直流电流增益(hFE):在Ic=5.0mA、Vce=10V的典型工作点下为80,保证中小电流信号的放大精度;
  • 开关阈值特性:最小输入导通电压(VI(on))≤800mV,最大输入截止电压(VI(off))≥600mV,开关切换清晰无明显“死区”;
  • 输出导通电压(VO(on)):≤200mV,导通时集射极压降低,减少功率损耗。

2.3 输入电阻与偏置特性

  • 输入电阻:2.2kΩ,内置固定输入电阻,简化外围电路设计;
  • 电阻比率:0.047,保证预偏置电路的电阻匹配性,提升工作稳定性。

2.4 工作温度范围

  • 工作温度:-55℃至+150℃,宽温范围覆盖工业级(-40+85℃)及汽车级(-55+125℃)部分场景,适应严苛环境需求。

三、封装与引脚功能

SMUN5235DW1T1G采用SOT-363超小型表面贴装封装,尺寸约1.6mm×1.0mm×0.6mm,相比传统封装节省70%以上PCB空间,适合便携式设备及高密度电路板。

典型引脚配置(参考安森美官方 datasheet):

  • 引脚1:第一NPN集电极(C1);
  • 引脚2:第一NPN基极(B1);
  • 引脚3:第一NPN发射极(E1);
  • 引脚4:第二NPN集电极(C2);
  • 引脚5:第二NPN基极(B2);
  • 引脚6:第二NPN发射极(E2)。

四、典型应用场景

  1. 数字逻辑电路:作为门电路、缓冲器或反相器,实现数字信号的放大与切换;
  2. 中小功率开关:驱动LED指示灯、小型继电器、蜂鸣器等低电流负载;
  3. 传感器信号放大:对弱信号传感器(如温度、压力传感器)输出信号进行初步放大;
  4. 工业控制电路:利用宽温特性,适用于工业自动化设备的控制模块;
  5. 消费电子:手机、平板、智能穿戴设备的小型控制电路(如按键扫描、状态指示)。

五、产品优势总结

  1. 设计简化:内置预偏置电阻,无需外部偏置电路,减少BOM成本与PCB空间;
  2. 宽温可靠:-55~+150℃工作温度,适应高低温环境;
  3. 超小封装:SOT-363封装尺寸紧凑,适合高密度布局;
  4. 开关性能优异:阈值清晰、导通损耗低,切换速度快;
  5. 性能稳定:hFE在典型工作点一致性好,保证信号放大精度。

该器件综合性能平衡,是中小电流数字电路、开关驱动及信号放大场景的高性价比选择。

最新价格

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