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属性 | 参数值 |
|---|---|
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 耗散功率(Pd) | 349W |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@40A,15V |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@250uA |
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC |
| 输入电容(Cies) | 1.88nF |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 输出电容(Coes) | 180pF |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 92ns |
| 导通损耗(Eon) | 820uJ |
| 关断损耗(Eoff) | 260uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 42ns |
产品简介
FGA40N65SMD 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的高性能 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)器件,采用场截止(Field Stop)技术,具有高电压、大电流和低导通损耗的特点。该器件适用于高频开关应用,如电机驱动、逆变器、电源转换和工业控制系统等。其封装形式为 TO-3PN,具有良好的散热性能和机械强度,适合高功率应用场景。
关键特性
高电压能力
大电流能力
低导通损耗
快速开关性能
高功率处理能力
宽工作温度范围
场截止技术
封装形式
应用领域
FGA40N65SMD 适用于以下应用场景:
性能优势
测试条件
封装信息
总结
FGA40N65SMD 是一款高性能 IGBT 器件,具有高电压、大电流、低导通损耗和快速开关性能等优点,适用于电机驱动、逆变器、电源转换和工业控制系统等多种应用场景。其 TO-3PN 封装形式提供了良好的散热性能和机械强度,适合高功率密度设计。安森美(ON Semiconductor)的场截止技术进一步提高了器件的效率和可靠性,使其成为高功率应用的理想选择。