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4N30M 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

4N30MRoHS
商品编码:
BM0264685580复制
品牌:
ON(安森美)复制
封装:
6-DIP复制
包装:
管装复制
重量:
0.893g复制
描述:
4N29M,4N30M,4N32M,4N33M,H11B1M,TIL113M 6 引脚 DIP 通用型光电达林顿光耦合器复制
产品参数
产品手册
产品概述
4N30M参数
属性
参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.5V
输出电流150mA
隔离电压(Vrms)4.17kV
直流反向耐压(Vr)3V
负载电压30V
属性
参数值
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))1V@8mA,2mA
工作温度-40℃~+100℃
电流传输比(CTR)最小值100%
总功耗(Pd)270mW
正向电流(If)80mA
4N30M手册
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无数据
4N30M概述

4N30M 光电达林顿光耦合器产品概述

概要

4N30M 是由安森美(ON Semiconductor)生产的一种6引脚DIP封装的光电达林顿光耦合器,属于H11B1M系列。这种设备结合了光电隔离和达林顿放大器的功能,广泛应用于需要电气隔离和信号放大的场景。

基础参数

  • 通道数: 1
  • 电压 - 隔离: 4170Vrms,提供高级别的电气隔离,确保系统安全和可靠性。
  • 电流传输比(最小值): 100% @ 10mA,保证了信号传输的准确性和一致性。
  • 接通 / 关断时间(典型值): 5µs,最大值为40µs,适用于需要快速响应的应用。
  • 输入类型: DC
  • 输出类型: 有基极的达林顿晶体管,提供高电流驱动能力。
  • 电压 - 输出(最大值): 30V
  • 电流 - 输出/通道: 150mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值): 1.2V
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值): 80mA
  • Vce 饱和压降(最大): 1V

工作特性

  • 工作温度范围: -40°C ~ 100°C,适用于各种环境条件下的应用。
  • 安装类型: 通孔安装,方便在印刷电路板(PCB)上进行安装和维护。
  • 封装/外壳: 6-DIP(0.300",7.62mm),标准的双列直插封装,易于集成到现有系统中。

应用场景

4N30M 光电达林顿光耦合器由于其高隔离电压、快速响应时间和高电流驱动能力,广泛应用于以下领域:

  • 工业控制系统: 用于控制继电器、阀门、马达等设备,确保控制信号与负载之间的电气隔离。
  • 医疗设备: 因为其高隔离电压,适用于需要严格电气安全标准的医疗设备,如心脏除颤器、监护仪等。
  • 自动化系统: 在自动化生产线中,用于传感器信号的隔离和放大,以提高系统的可靠性和稳定性。
  • 通信设备: 用于信号隔离和放大,在通信设备中确保信号质量和系统安全。

优势

  • 高隔离电压: 提供4170Vrms的高隔离电压,确保系统安全和可靠性。
  • 快速响应时间: 典型接通/关断时间为5µs,最大值为40µs,适用于需要快速响应的应用。
  • 高电流驱动能力: 输出电流可达150mA,能够直接驱动小型负载,如LED、继电器等。
  • 宽工作温度范围: 支持-40°C ~ 100°C的工作温度范围,适用于各种环境条件下的应用。

安装和使用注意事项

  • 在安装时,确保正确连接引脚,以避免短路或其他故障。
  • 请参考数据手册中的推荐布局和焊接指南,以确保最佳性能。
  • 在设计系统时,考虑到最大允许的工作条件(如电压、电流和温度),以防止设备过载或损坏。

总结

4N30M 光电达林顿光耦合器是安森美公司的一款高性能光耦合器,通过其高隔离电压、快速响应时间和高电流驱动能力,广泛应用于工业控制、医疗设备、自动化系统以及通信设备等领域。其标准的6-DIP封装和宽工作温度范围,使其成为许多工程师和设计师的首选设备。通过正确的安装和使用,这款设备可以提供长期稳定的性能,满足各种复杂应用的需求。

最新价格

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单价(含税)
1+
¥0.912
1901+
¥0.841
19010+

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