
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 595pF |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 106pF |

品牌与型号
YJL2302A 是由扬杰电子(YANGJIE)生产的一款 N 沟道场效应管(MOSFET),采用 SOT-23-3L 封装,适用于低电压、低功耗的电子设备中。该器件以其优异的性能和紧凑的封装尺寸,广泛应用于电源管理、电机控制、信号切换等领域。
低导通电阻
YJL2302A 的导通电阻(RDS(on))在栅源电压(Vgs)为 4.5V 时仅为 27mΩ。这种低导通电阻特性能够显著降低功率损耗,提高系统效率,特别适合需要高效能转换的应用场景。
高电流能力
该器件的连续漏极电流(Id)可达 4.3A,能够满足大多数低电压、中等电流应用的需求,如便携式设备、电池供电系统等。
低栅极电荷
栅极电荷(Qg)为 6.6nC(在 Vgs=4.5V 时),这一特性使得 YJL2302A 在高频开关应用中表现出色,能够减少开关损耗并提高响应速度。
宽工作温度范围
YJL2302A 的工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃,适用于各种严苛环境,包括工业控制、汽车电子等领域。
低反向传输电容
反向传输电容(Crss)在 Vds=10V 时为 59pF,较低的电容值有助于减少开关过程中的能量损耗,进一步提升器件的开关性能。
低阈值电压
阈值电压(Vgs(th))为 850mV(在 Id=250uA 时),这使得 YJL2302A 能够在低电压驱动下实现高效导通,适合低功耗应用。
YJL2302A 采用 SOT-23-3L 封装,这是一种小型化、表面贴装封装形式,尺寸紧凑,适合高密度 PCB 设计。其引脚排列如下:
这种封装形式不仅节省空间,还便于自动化生产,适合大规模制造。
YJL2302A 凭借其优异的性能参数,广泛应用于以下领域:
| 参数名称 | 数值/条件 |
|---|---|
| 功率(Pd) | 1W |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF @ Vds=10V |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ @ Vgs=4.5V |
| 工作温度范围 | -55℃ ~ +150℃ |
| 栅极电荷(Qg) | 6.6nC @ Vgs=4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV @ Id=250uA |
| 输入电容(Ciss) | 595pF @ Vds=10V |
| 封装形式 | SOT-23-3L |
YJL2302A 是一款高性能、低功耗的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷、高电流能力和宽工作温度范围等优点。其紧凑的 SOT-23-3L 封装形式使其适用于各种低电压、低功耗的电子设备,包括电源管理、电机控制、信号切换等领域。无论是便携式设备、工业控制系统还是汽车电子,YJL2302A 都能提供高效、可靠的解决方案。