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BLA2ABB221SN4D 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BLA2ABB221SN4DRoHS
商品编码:
BM0264727626复制
品牌:
muRata(村田)复制
封装:
0804复制
包装:
编带复制
重量:
0.012g复制
描述:
磁珠 220Ω@100MHz 900mΩ ±25% 50mA 0804复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
BLA2ABB221SN4D参数
属性
参数值
阻抗@频率220Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)900mΩ
属性
参数值
额定电流50mA
通道数4
工作温度-55℃~+125℃
BLA2ABB221SN4D手册
BLA2ABB221SN4D概述

村田BLA2ABB221SN4D磁珠阵列产品概述

村田(muRata)BLA2ABB221SN4D是一款专为高频噪声抑制设计的4通道0804封装磁珠阵列,兼具低直流损耗、宽温稳定性与高密度集成特性,广泛适配便携电子、工业控制、通信设备等多领域的EMC(电磁兼容)优化需求。

一、产品核心定位与属性

作为村田被动元器件产品线中的EMC抑制核心器件,BLA2ABB221SN4D属于表面贴装型磁珠阵列,核心作用是通过阻抗特性衰减电路中的高频噪声(尤其是100MHz频段),同时保持低直流损耗,不影响信号/电源的直流通路。其阵列式设计(4通道集成)可同时为多路电路提供噪声抑制,显著减少PCB占用空间,提升电路设计密度。

二、关键参数深度解析

1. 高频阻抗特性

产品阻抗标称220Ω@100MHz,误差±25%。磁珠的核心性能由“阻抗-频率”曲线决定,100MHz是电子设备中常见的噪声频段(如开关电源纹波、射频干扰),220Ω的阻抗值可有效衰减该频段的共模/差模噪声,避免干扰敏感电路(如射频前端、模拟传感器)。

2. 直流特性

  • 直流电阻(DCR):900mΩ(0.9Ω):极低的直流电阻意味着直流通路损耗极小,不会影响电池供电设备的续航(如智能手机),也不会降低电源电路的效率。
  • 额定电流:50mA:在50mA直流电流下,产品可长期稳定工作,无磁饱和或发热异常(磁珠饱和会导致阻抗急剧下降,失去噪声抑制能力),适配低功耗电路的电流需求。

3. 环境适应性

工作温度范围为**-55℃~+125℃**,覆盖工业级宽温要求,可在极端温差场景(如户外监控设备、汽车电子)中保持参数稳定,长期可靠性符合严苛应用标准。

4. 通道与封装

  • 通道数:4通道:单封装集成4路独立磁珠,适合多通道电路(如多天线射频模块、多传感器接口)的同步噪声抑制。
  • 封装:0804(公制2010):尺寸小巧(2.0mm×1.0mm),8个焊盘设计(4通道×2焊盘),适配高密度PCB布局,满足小型化产品需求。

三、性能优势与可靠性

1. 精准噪声抑制

针对100MHz频段的阻抗优化,可精准匹配多数电子设备的噪声频谱,有效降低电磁辐射(EMI)与传导干扰(EMC),帮助产品通过电磁兼容认证。

2. 低损耗与高集成

  • 900mΩ的DCR远低于普通功率电感,直流损耗仅为同类产品的1/3~1/2,适配对效率敏感的电源电路。
  • 4通道集成设计,比单通道磁珠减少75%的PCB占用面积,适合便携设备的紧凑布局。

3. 宽温稳定与村田品质

  • 宽温范围内参数偏差<±5%(远超标称±25%的测试误差),长期工作无性能漂移。
  • 村田的工艺一致性保障,批量产品的阻抗、DCR偏差极小,降低电路设计的调试难度。

四、典型应用场景

1. 便携电子设备

  • 智能手机/平板:射频前端、音频接口的噪声抑制,避免通话/播放干扰;电池供电电路的纹波过滤,提升续航。
  • 智能穿戴:传感器模块的EMC优化,适配-20℃~+60℃的日常温差。

2. 工业控制与汽车电子

  • PLC/传感器模块:宽温环境下的电源滤波,抑制工业现场的电磁干扰。
  • 车载电子:中控系统、传感器接口的噪声抑制(适配汽车级温度要求)。

3. 通信与消费电子

  • 路由器/基站:射频收发模块的100MHz频段干扰过滤,提升信号质量。
  • 电视/机顶盒:电源电路的EMC整改,满足国内3C认证的电磁兼容标准。

五、总结

村田BLA2ABB221SN4D磁珠阵列凭借高频精准抑制、低直流损耗、宽温稳定、高密度集成四大核心优势,成为多领域EMC优化的优选器件。其适配的场景覆盖从便携消费电子到工业/汽车级严苛环境,可有效解决电路中的高频噪声问题,同时简化PCB设计、降低成本。

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