
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阻抗@频率 | 220Ω@100MHz |
| 误差 | ±25% |
| 直流电阻(DCR) | 900mΩ |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 额定电流 | 50mA |
| 通道数 | 4 |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
村田(muRata)BLA2ABB221SN4D是一款专为高频噪声抑制设计的4通道0804封装磁珠阵列,兼具低直流损耗、宽温稳定性与高密度集成特性,广泛适配便携电子、工业控制、通信设备等多领域的EMC(电磁兼容)优化需求。
作为村田被动元器件产品线中的EMC抑制核心器件,BLA2ABB221SN4D属于表面贴装型磁珠阵列,核心作用是通过阻抗特性衰减电路中的高频噪声(尤其是100MHz频段),同时保持低直流损耗,不影响信号/电源的直流通路。其阵列式设计(4通道集成)可同时为多路电路提供噪声抑制,显著减少PCB占用空间,提升电路设计密度。
产品阻抗标称220Ω@100MHz,误差±25%。磁珠的核心性能由“阻抗-频率”曲线决定,100MHz是电子设备中常见的噪声频段(如开关电源纹波、射频干扰),220Ω的阻抗值可有效衰减该频段的共模/差模噪声,避免干扰敏感电路(如射频前端、模拟传感器)。
工作温度范围为**-55℃~+125℃**,覆盖工业级宽温要求,可在极端温差场景(如户外监控设备、汽车电子)中保持参数稳定,长期可靠性符合严苛应用标准。
针对100MHz频段的阻抗优化,可精准匹配多数电子设备的噪声频谱,有效降低电磁辐射(EMI)与传导干扰(EMC),帮助产品通过电磁兼容认证。
村田BLA2ABB221SN4D磁珠阵列凭借高频精准抑制、低直流损耗、宽温稳定、高密度集成四大核心优势,成为多领域EMC优化的优选器件。其适配的场景覆盖从便携消费电子到工业/汽车级严苛环境,可有效解决电路中的高频噪声问题,同时简化PCB设计、降低成本。