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BLM18KG102BH1D 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BLM18KG102BH1DRoHS
商品编码:
BM0264727675复制
品牌:
muRata(村田)复制
封装:
0603(1608 公制)复制
包装:
编带复制
重量:
0.036g复制
描述:
磁珠 1kΩ@100MHz 200mΩ ±25% 800mA 0603复制
数据手册
产品参数
产品手册
产品概述
BLM18KG102BH1D参数
属性
参数值
阻抗@频率1kΩ@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)200mΩ
属性
参数值
额定电流800mA
通道数1
工作温度-55℃~+150℃
BLM18KG102BH1D手册
BLM18KG102BH1D概述

村田BLM18KG102BH1D磁珠产品概述

村田(muRata)作为全球被动元件领域的核心供应商,其BLM18KG系列磁珠以高可靠性、精准性能著称,其中BLM18KG102BH1D是针对100MHz频段电磁干扰(EMI)抑制设计的小尺寸贴片磁珠,适配消费电子、汽车电子等多场景需求。以下是该产品的详细概述:

一、产品基本信息

BLM18KG102BH1D属于村田BLM18K系列高频抑制磁珠,核心基础信息如下:

  • 品牌:muRata(村田制作所),日系百年企业,被动元件技术全球领先;
  • 封装:0603英制封装(对应公制1608规格),尺寸为1.6mm×0.8mm,属于小型化贴片封装,适配高密度电路板设计;
  • 产品类型:贴片式铁氧体磁珠,通过铁氧体材料的高频阻抗特性抑制电磁干扰;
  • 型号含义:BLM18K(系列标识)→G(特性分类)→102(阻抗参数,"102"表示1kΩ@100MHz)→BH1D(封装与批次细节)。

二、关键性能参数详解

该产品的核心参数直接决定其应用边界,具体解析如下:

1. 高频阻抗特性

BLM18KG102BH1D的标称阻抗为1kΩ@100MHz,误差范围±25%(实际阻抗区间750Ω~1250Ω)。磁珠的核心作用是在特定频率下提供高阻抗,抑制该频段的电磁干扰——100MHz是Wi-Fi、蓝牙、高速数字电路的常见干扰频率,此参数可精准针对此类场景的EMI问题。

2. 直流电阻(DCR)

产品的直流电阻为200mΩ,属于低DCR设计。DCR是磁珠对直流信号的电阻,低DCR可减少直流功耗,避免对电路的直流供电/信号传输造成额外损耗,适合需要高效传输直流信号的场景(如电源滤波、信号线路EMI抑制)。

3. 额定电流能力

额定电流为800mA,指常温下可长期持续工作的最大电流。若实际电流超过该值,磁珠可能因过热导致阻抗下降、性能失效,因此选型时建议留20%~30%余量。

4. 宽温度适应性

工作温度范围为**-55℃~+150℃**,覆盖工业级、汽车级温度要求,可在极端环境(如汽车发动机舱、户外低温设备)下稳定工作,无需额外降额。

三、典型应用场景

BLM18KG102BH1D的性能特点使其适配多类高频EMI抑制场景,常见应用包括:

  1. 消费电子:智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源线路、射频前端滤波,抑制Wi-Fi、蓝牙等100MHz附近的干扰;
  2. 汽车电子:车载导航、ADAS传感器(毫米波雷达)、车载通信模块的EMI抑制,满足汽车级宽温要求;
  3. 工业控制:PLC、伺服电机驱动、工业传感器的信号线路滤波,提升设备抗干扰能力;
  4. 通信设备:基站、路由器、交换机的射频电路滤波,抑制高速数字信号的电磁辐射。

四、产品优势特点

相比同类磁珠,BLM18KG102BH1D具有以下核心优势:

  1. 小尺寸高密度:0603封装可大幅节省电路板空间,适配小型化、轻薄化产品设计;
  2. 精准阻抗一致性:村田铁氧体材料工艺保证阻抗偏差控制在±25%内,稳定抑制目标频段EMI;
  3. 低损耗设计:200mΩ低DCR减少直流功耗,不影响电路的直流性能;
  4. 宽温稳定可靠:-55℃~+150℃温度范围,满足严苛环境下的长期工作需求;
  5. 高可靠性:村田严格的质量管控体系,产品故障率低,适合高可靠性应用场景。

五、选型与使用注意事项

使用该产品时需注意以下要点:

  1. 频率匹配:确认干扰频率是否集中在100MHz附近,若偏离较大需选择对应阻抗频率的型号;
  2. 电流余量:实际工作电流需低于800mA额定值,避免磁珠过热饱和;
  3. 焊接工艺:0603封装需采用回流焊工艺,避免虚焊、桥接等缺陷;
  4. 温度边界:若环境温度超过150℃,需更换更高温度等级的磁珠(如村田BLM系列高温款)。

该产品凭借精准的高频阻抗、低损耗、宽温适应性等特点,成为高频EMI抑制场景的可靠选择,广泛应用于多领域电子设备设计中。

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