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SZESD7410N2T5G 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SZESD7410N2T5GRoHS
商品编码:
BM0264751346复制
品牌:
ON(安森美)复制
封装:
2-X2DFN(1x0.6)复制
包装:
编带复制
重量:
0.007g复制
描述:
静电和浪涌保护(TVS/ESD) SZESD7410N2T5G X2DFN-2(0.6x1)复制
产品参数
产品手册
产品概述
SZESD7410N2T5G参数
属性
参数值
反向截止电压(Vrwm)8V
钳位电压20V
峰值脉冲电流(Ipp)5A@8/20us
击穿电压(VBR)10V
反向电流(Ir)1uA
属性
参数值
通道数单路
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容1pF
SZESD7410N2T5G手册
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无数据
SZESD7410N2T5G概述

ON安森美SZESD7410N2T5G ESD/浪涌保护器件产品概述

一、品牌与封装基础信息

SZESD7410N2T5G由国际半导体企业ON安森美研发生产,属于ESD/浪涌防护专用器件。其采用2-X2DFN超小型封装(尺寸为0.6mm×1mm),是当前主流的微缩表面贴装封装之一,能大幅节省PCB布局空间,尤其适配对尺寸要求严苛的便携设备或高密度电路设计。

二、核心电气参数深度解析

该器件的电气参数针对性强,精准匹配高速信号传输与宽环境应用需求:

  1. 截止与击穿特性
    反向截止电压(Vrwm)为8V,确保正常工作电压下反向不导通,不干扰电路运行;击穿电压(典型值10V)比截止电压高2V,过压时快速触发雪崩击穿,实现电压钳位防护,响应速度达ns级(远快于普通防护器件)。

  2. 脉冲与钳位能力
    峰值脉冲电流(Ipp)支持5A@8/20μs(标准浪涌波形:8μs上升沿、20μs下降沿),可有效吸收瞬间浪涌冲击(如电源波动、雷击感应);钳位电压(Vc)为20V,能将过压稳定限制在安全范围内,避免后端敏感电路(MCU、传感器等)被击穿损坏。

  3. 信号完整性与功耗
    结电容(Cj)仅1pF,远低于同类器件,不会对高速信号(USB 3.0、HDMI 2.0、音频接口)的传输造成明显衰减或相位偏移;反向漏电流(Ir)为1μA,漏电流极小,长期工作时功耗可忽略不计,不影响电路效率。

  4. 宽温工作范围
    结温(Tj)支持**-55℃~+150℃**,覆盖极端工业环境(低温户外、高温车间)与消费电子的常规工作温度,可靠性经宽温测试验证,适应复杂应用场景。

三、防护标准与双重防护特性

该器件严格符合IEC 61000-4-2静电放电标准,可抵御接触放电(典型8kV)与空气放电(典型15kV)的静电冲击;同时兼具TVS浪涌防护功能,能同时应对静电(ESD)与瞬态浪涌,实现“双重防护”,减少后端电路的防护冗余设计,简化电路布局。

四、典型应用场景

结合小尺寸、低结电容、宽温特性,SZESD7410N2T5G适用于以下核心场景:

  • 便携电子设备:智能手机、平板、智能手表的USB Type-C、HDMI、耳机接口防护;
  • 工业控制设备:传感器模块、通信接口(RS485/232)的静电与浪涌防护;
  • 消费电子:电视、机顶盒、游戏机的高速接口(HDMI、USB)防护;
  • 小型IoT设备:智能门锁、智能家居节点的信号接口防护。

五、产品优势与可靠性总结

相比同类防护器件,SZESD7410N2T5G的核心优势突出:

  1. 超小封装:0.6mm×1mm尺寸,适配高密度PCB设计;
  2. 低结电容:1pF不影响高速信号完整性,支持高频接口防护;
  3. 双重防护:同时抵御ESD与浪涌,简化电路设计;
  4. 宽温可靠:-55℃~+150℃结温,适应极端环境;
  5. 品牌保障:ON安森美成熟工艺,质量稳定,一致性好。

该器件是高速接口与小尺寸电路的理想防护方案,能有效提升电子设备的抗干扰能力与使用寿命,降低售后维修成本。

最新价格

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单价(含税)
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¥0.757
8000+
¥0.709
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