
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 反向截止电压(Vrwm) | 8V |
| 钳位电压 | 20V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us |
| 击穿电压(VBR) | 10V |
| 反向电流(Ir) | 1uA |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 通道数 | 单路 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 |
| 类型 | ESD |
| Cj-结电容 | 1pF |

SZESD7410N2T5G由国际半导体企业ON安森美研发生产,属于ESD/浪涌防护专用器件。其采用2-X2DFN超小型封装(尺寸为0.6mm×1mm),是当前主流的微缩表面贴装封装之一,能大幅节省PCB布局空间,尤其适配对尺寸要求严苛的便携设备或高密度电路设计。
该器件的电气参数针对性强,精准匹配高速信号传输与宽环境应用需求:
截止与击穿特性
反向截止电压(Vrwm)为8V,确保正常工作电压下反向不导通,不干扰电路运行;击穿电压(典型值10V)比截止电压高2V,过压时快速触发雪崩击穿,实现电压钳位防护,响应速度达ns级(远快于普通防护器件)。
脉冲与钳位能力
峰值脉冲电流(Ipp)支持5A@8/20μs(标准浪涌波形:8μs上升沿、20μs下降沿),可有效吸收瞬间浪涌冲击(如电源波动、雷击感应);钳位电压(Vc)为20V,能将过压稳定限制在安全范围内,避免后端敏感电路(MCU、传感器等)被击穿损坏。
信号完整性与功耗
结电容(Cj)仅1pF,远低于同类器件,不会对高速信号(USB 3.0、HDMI 2.0、音频接口)的传输造成明显衰减或相位偏移;反向漏电流(Ir)为1μA,漏电流极小,长期工作时功耗可忽略不计,不影响电路效率。
宽温工作范围
结温(Tj)支持**-55℃~+150℃**,覆盖极端工业环境(低温户外、高温车间)与消费电子的常规工作温度,可靠性经宽温测试验证,适应复杂应用场景。
该器件严格符合IEC 61000-4-2静电放电标准,可抵御接触放电(典型8kV)与空气放电(典型15kV)的静电冲击;同时兼具TVS浪涌防护功能,能同时应对静电(ESD)与瞬态浪涌,实现“双重防护”,减少后端电路的防护冗余设计,简化电路布局。
结合小尺寸、低结电容、宽温特性,SZESD7410N2T5G适用于以下核心场景:
相比同类防护器件,SZESD7410N2T5G的核心优势突出:
该器件是高速接口与小尺寸电路的理想防护方案,能有效提升电子设备的抗干扰能力与使用寿命,降低售后维修成本。