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S9013-TA 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

S9013-TARoHS
商品编码:
BM0264783054复制
品牌:
CJ(江苏长电/长晶)复制
封装:
TO-92F复制
包装:
编带复制
重量:
0.315g复制
描述:
三极管(BJT) S9013-TA TO-92 H档 144-202复制
产品参数
产品手册
产品概述
S9013-TA参数
属性
参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)25V
耗散功率(Pd)625mW
直流电流增益(hFE)400
属性
参数值
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))600mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN
S9013-TA手册
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无数据
S9013-TA概述

S9013-TA(CJ品牌)NPN型三极管产品概述

一、产品基本信息

S9013-TA是江苏长电(CJ)推出的NPN型双极型晶体管(BJT),属于通用型小功率三极管。型号后缀“TA”为特定参数/封装版本标识,“H档”代表直流电流增益(hFE)处于144-202的区间(保证批量一致性),封装采用TO-92_Forming1直插式封装,单只独立包装,适配手工焊接及插件组装场景。

二、核心电气参数详解

S9013-TA的参数覆盖安全极限、直流特性及开关性能,关键指标如下:

1. 极限参数(器件安全工作边界)

  • 集电极电流(Ic):最大500mA(连续工作时集电极允许的最大电流,过载易引发热损坏);
  • 集射极击穿电压(Vceo):25V(基极开路时,集电极-发射极的最大反向耐压,超压会击穿);
  • 射基极击穿电压(Vebo):5V(集电极开路时,发射结的最大反向耐压,需避免发射结反向过压);
  • 耗散功率(Pd):625mW(环境温度25℃时的最大允许功率,温度升高需按降额曲线调整);
  • 工作温度范围:-55℃~+150℃(工业级宽温,适应高低温环境下的稳定工作)。

2. 直流特性参数

  • 直流电流增益(hFE):典型值400,H档范围144-202(基极电流控制集电极电流的放大倍数,增益一致性好,适配放大电路需求);
  • 集电极截止电流(Icbo):100nA(发射极开路时,集电极-基极的反向漏电流,漏电流小表示截止状态性能优异);
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):600mV(饱和状态下集电极-发射极的电压降,越小则开关损耗越低)。

三、典型应用场景

S9013-TA因参数均衡,广泛应用于小信号放大低速开关电路,常见场景包括:

  1. 小信号放大:音频前置放大电路、传感器微弱信号放大(如光敏/热敏传感器信号调理);
  2. 低速开关控制:小功率LED驱动(最大500mA可驱动常规LED)、继电器线圈驱动(需匹配继电器工作电流)、简单逻辑开关(如玩具/小型家电的按键控制);
  3. 消费电子与工业辅助电路:电子玩具、小型充电器、工业传感器接口电路等(宽温特性适配不同环境)。

四、封装与物理特性

S9013-TA采用TO-92_Forming1直插封装,引脚排列符合行业标准:正面(印字面)朝向使用者时,引脚向下,从左到右依次为发射极(E)、基极(B)、集电极(C)。封装尺寸小巧(约4.5mm×2.5mm×10mm),适合紧凑电路板设计;引脚成型精度高,手工焊接时烙铁温度建议控制在300-350℃,单次焊接时间不超过3秒,避免损伤器件。

五、选型与使用注意事项

  1. 降额使用:工作温度超过25℃时,耗散功率需降额(如100℃时Pd约为300mW,150℃时接近0),需参考CJ官方 datasheet 的降额曲线;
  2. 反向电压防护:Vebo仅5V,避免基极电压过高导致发射结反向击穿(建议基极串接限流电阻);
  3. 电流余量:连续工作时,集电极电流建议控制在400mA以内(留20%余量),防止热积累引发性能下降;
  4. 增益匹配:H档(144-202)适用于中等增益需求,若需更高增益可选择其他档位,但需确认参数一致性。

综上,S9013-TA作为CJ品牌的通用NPN三极管,凭借宽温范围、均衡的电气参数及成熟的TO-92封装,成为小信号放大与低速开关场景的高性价比选择。

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