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M93C46-RMN3TP/K 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

M93C46-RMN3TP/KRoHS
商品编码:
BM0264794743复制
品牌:
ST(意法半导体)复制
封装:
8-SO复制
包装:
编带复制
重量:
0.27g复制
描述:
EEPROM -40℃~+125℃ 1Kbit SPI 1.8V~5.5V SOP-8复制
产品参数
产品手册
产品概述
M93C46-RMN3TP/K参数
属性
参数值
存储容量1Kbit
时钟频率(fc)2MHz
写周期时间(Tw)4ms
数据保留 - TDR(年)100年
属性
参数值
写周期寿命400万次
功能特性内置上电复位(POR);内置错误纠正码(ECC)功能;内置写使能锁存器(WEL)
工作电压1.8V~5.5V
工作温度-40℃~+125℃
M93C46-RMN3TP/K手册
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无数据
M93C46-RMN3TP/K概述

M93C46-RMN3TP/K 串行EEPROM产品概述

一、产品定位与核心应用方向

M93C46-RMN3TP/K是意法半导体(ST)推出的工业级1Kbit串行EEPROM,核心定位为「低容量非易失数据存储的高可靠性解决方案」。不同于大容量Flash或EEPROM,它精准匹配设备ID、校准系数、用户配置等「小数据量、高稳定性」需求——既避免占用MCU内部Flash(减少其擦写寿命损耗),又具备掉电不丢失的特性,广泛适用于工业控制、消费电子、汽车电子及物联网等领域。

二、关键性能参数解析

1. 存储与接口特性

  • 容量与灵活配置:总容量1Kbit,支持两种模式切换——128×8位(字节模式) 适配8位MCU,64×16位(字模式) 兼容16/32位主控,可根据系统需求灵活选择;
  • SPI串行接口:采用标准SPI协议,含CS(片选)、SCK(时钟)、MOSI(主出从入)、MISO(主入从出)核心线,部分型号带WP(写保护)引脚,硬件锁存防止意外擦写;
  • 通信速率:最高支持2MHz时钟频率,满足低/中速系统的通信需求(如MCU与EEPROM的配置加载可快速完成)。

2. 电气性能指标

  • 宽电压兼容:工作电压覆盖1.8V~5.5V,兼容3.3V(低功耗MCU)、5V(传统工业系统)供电,无需额外电平转换芯片,简化电路设计并降低BOM成本;
  • 快速写周期:单次写操作时间(Tw)仅4ms,远快于部分竞品的10ms以上周期,可在系统启动阶段快速完成配置加载(如传感器模块开机10ms内即可读取校准参数)。

3. 可靠性与环境适应性

  • 写寿命与数据保留:写周期寿命达400万次(每天擦写1000次可稳定使用10年),数据保留时间(TDR)100年——即使设备长期断电(如工业传感器放置仓库5年),关键数据仍能准确读取,无需重新校准;
  • 工业级宽温:工作温度覆盖-40℃~+125℃,适配户外工业现场(温差60℃以上)、汽车发动机舱(夏季高温85℃)等 harsh环境。

三、封装与物理特性

采用8-SO(SOP-8) 封装,尺寸紧凑(典型5.2mm×4.0mm×1.75mm),适合PCB布局紧凑的小型化产品;引脚间距1.27mm,兼容标准SMT焊接工艺,与STM32、ATmega、ESP32等主流MCU的SPI接口直接对应,无需额外布线调整。

四、典型应用场景

  1. 工业控制:存储PLC I/O配置、传感器校准偏移量、设备运行日志;
  2. 消费电子:智能家电预设频道、遥控器配对ID、可穿戴设备健康阈值;
  3. 汽车电子:TPMS传感器ID与校准数据、行车记录仪时间同步参数;
  4. 物联网:BLE模块配对密钥、Wi-Fi模块网络配置、智能门锁指纹模板(小容量场景)。

五、产品核心优势总结

  • 全场景电压兼容:1.8~5.5V覆盖主流供电,无需电平转换;
  • 工业级可靠性:400万次写寿命+100年数据保留,满足长期使用;
  • 宽温适配:-40~125℃适配 harsh环境,拓展应用边界;
  • SPI便捷性:2MHz速率稳定,带写保护提升数据安全;
  • 紧凑封装:SOP-8尺寸小,兼容标准SMT工艺。

该产品以「精准匹配小容量存储需求+工业级可靠性」为核心,是低容量非易失数据存储的高性价比选择。

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