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TPDV1225RG 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

TPDV1225RGRoHS
商品编码:
BM0264794750复制
品牌:
ST(意法半导体)复制
封装:
TOP-3复制
包装:
管装复制
重量:
6.567g复制
描述:
晶闸管(可控硅)/模块 TPDV1225RG TOP-3复制
产品参数
产品手册
产品概述
TPDV1225RG参数
属性
参数值
可控硅类型1个双向可控硅
门极触发电压(Vgt)1.5V
保持电流(Ih)50mA
断态峰值电压(Vdrm)1.2kV
属性
参数值
门极触发电流(Igt)150mA
通态电流(It)25A
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)
TPDV1225RG手册
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无数据
TPDV1225RG概述

TPDV1225RG双向可控硅产品概述

TPDV1225RG是意法半导体(ST)推出的一款工业级双向可控硅(晶闸管),采用TOP-3金属封装,兼具高阻断电压、中等通态电流与宽温适应性,可满足多种交流功率控制场景的需求。以下从核心参数、封装品牌、应用场景、性能优势及可靠性要点展开详细概述。

一、核心电气参数解析

TPDV1225RG的关键参数明确了其性能边界,核心指标及实际意义如下:

  • 双向导通特性:作为双向可控硅,可在交流正负半周均实现导通,无需正反向器件组合,大幅简化电路设计;
  • 断态峰值电压(Vdrm):1.2kV,即正向/反向阻断状态下可承受的最高峰值电压,远高于220V/380V交流系统的峰值电压(220V系统峰值≈311V,380V系统≈537V),电压余量充足,可应对电网波动;
  • 通态电流(It):25A(有效值),为持续导通时的额定电流,220V系统下可驱动约5.5kW负载,满足中等功率需求;
  • 门极触发参数:触发电压(Vgt)1.5V、触发电流(Igt)150mA,触发门槛适中,常见控制电路(如MCU、逻辑IC)通过简单驱动即可实现可靠触发,无需额外大电流模块;
  • 保持电流(Ih):50mA,即导通后维持导通的最小负载电流,若负载电流低于此值,器件会自动关断,设计时需预留电流裕量。

二、封装与品牌背景

  1. 封装形式:采用TOP-3金属封装,该封装特点为散热性能优异(金属外壳快速散发热量)、机械强度高,可有效降低结温,延长器件寿命;同时封装体积适中,便于电路布局;
  2. 品牌支持:由意法半导体(ST)生产,ST作为全球知名半导体厂商,其工业级器件以高可靠性、宽温适应性著称,TPDV1225RG符合工业环境的严苛要求,可长期稳定工作。

三、典型应用场景

基于参数特性,TPDV1225RG适用于以下中等功率交流控制场景:

  • 交流电机调速:单相交流电机(如小型风机、水泵)的调速控制,通过调节导通角实现转速精准调整;
  • 加热设备控制:电烤箱、工业加热炉、热水器等的电热丝功率调节,配合温度传感器实现恒温控制;
  • 灯光调光:大功率白炽灯、LED驱动电路的调光(需匹配LED驱动特性),满足不同亮度需求;
  • 小型电力开关:工业配电箱、仪器设备的交流电源开关控制,替代传统继电器,响应更快、寿命更长。

四、关键性能优势

TPDV1225RG的核心优势体现在:

  • 触发易驱动:1.5V/150mA的触发参数,无需复杂驱动电路,可直接由低功率控制电路触发;
  • 宽温适应性:工作结温范围-40℃~+125℃,可在极端环境(如寒冷地区、高温车间)下稳定运行;
  • 双向导通简化设计:无需正反向器件组合,减少电路元件数量,降低成本与故障点;
  • 高可靠性:ST品牌工业级品质+TOP-3封装的散热优势,寿命长、抗干扰能力强,适合长期连续工作。

五、工作环境与可靠性要点

为确保器件稳定工作,需注意以下要点:

  1. 散热设计:25A通态电流下需匹配合适散热器,避免结温超过125℃;
  2. 保持电流裕量:设计负载电路时,需确保导通后负载电流不低于50mA,防止意外关断;
  3. 电压防护:避免施加超过1.2kV的峰值电压,可通过压敏电阻吸收浪涌电压;
  4. 触发电路优化:若控制电路输出电流不足150mA,需增加三极管等驱动元件,确保可靠触发。

总结

TPDV1225RG双向可控硅凭借平衡的电气参数、可靠的封装与品牌支持,成为中等功率交流控制领域的实用选择,适用于工业、家电等多场景的功率调节需求,可有效提升电路设计的灵活性与可靠性。

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