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SMBJ3V3-E3/5B 产品实物图片

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SMBJ3V3-E3/5BRoHS
商品编码:
BM0264799488复制
品牌:
VISHAY(威世)复制
封装:
SMBJ(DO-214AA)复制
包装:
-复制
重量:
0.19g复制
描述:
TVS DIODE 3.3VWM 10.3VC复制
产品参数
产品手册
产品概述
SMBJ3V3-E3/5B参数
属性
参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压10.3V
峰值脉冲电流(Ipp)200A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)600W@10/1000us
属性
参数值
击穿电压(VBR)4.1V
反向电流(Ir)200uA
工作温度-65℃~+175℃
类型TVS
Cj-结电容5.2nF
SMBJ3V3-E3/5B手册
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无数据
SMBJ3V3-E3/5B概述

SMBJ3V3-E3/5B — TVS 二极管产品概述

一、产品简介

SMBJ3V3-E3/5B 是 VISHAY(威世)推出的一款单向瞬态抑制二极管(TVS),专为保护 3.3V 工作电源轨及低速信号线免受雷击、浪涌和电气静电放电等瞬态过电压而设计。器件采用 SMBJ(DO-214AA)表面贴装封装,便于板级应用与量产装配。

二、主要电气参数

  • 极性:单向
  • 反向稳态电压 VRWM:3.3V
  • 击穿电压 VBR:4.1V(典型)
  • 钳位电压 VC:10.3V(在 8/20μs 浪涌下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:200A @ 8/20μs
  • 峰值脉冲功率 Ppp:600W @ 10/1000μs
  • 反向漏电流 IR:200μA(在 VRWM 条件下)
  • 结电容 Cj:5200pF(较大)
  • 工作温度:-65℃ ~ +175℃

三、封装与物理特性

SMBJ(DO-214AA)为中功率表面贴装封装,具有良好散热路径和较高浪涌承受能力,适合板端直接贴装于电源入口或接口附近。VISHAY 品牌保证了加工一致性与批次可靠性。

四、典型应用场景

  • 3.3V 电源轨过压与浪涌保护
  • 工业控制、通信终端的电源入口保护
  • 电源适配器与电源模块的板级抑制
  • 低速信号接口(注意电容影响)
    特别适合需承受大电流冲击且对钳位电压有明确要求的系统。

五、设计与布局建议

  • 将 TVS 器件尽量靠近受保护的输入端(连接器或电源引脚)布置,以缩短寄生电感。
  • 结电容 5200pF 较大,在高速或差分信号线上会影响信号完整性,不建议用于高频/高速接口;对 3.3V 电源轨应用通常可接受。
  • 单向器件须正确极性安装:阴极接受保护线,阳极接地。
  • 在高能浪涌环境下,可与串联电阻或滤波电路配合使用以分散能量并改善浪涌响应。
  • 注意 PCB 铜箔面积与散热,与器件的冲击能量处理能力直接相关。

六、可靠性与注意事项

  • 工作温度范围宽(-65℃ 至 +175℃),适合严苛环境。
  • 反向漏电 200μA 在某些低功耗系统中可能需考虑其影响,必要时选择漏电更低的型号。
  • 钳位电压 10.3V 表明在大浪涌下保护电压仍高于稳态 3.3V,多用于容忍短时过压的系统;对敏感器件需确认最大承受电压。
  • 结电容大导致并联电容负担,设计时评估滤波与稳定性影响。

七、总结

SMBJ3V3-E3/5B 为一款面向 3.3V 电源轨的高能量吸收型单向 TVS,具备 200A(8/20μs)脉冲电流和 600W(10/1000μs)脉冲功率能力,适合工业级、板级浪涌保护应用。选型时应综合考虑其较大的结电容与漏电特性,以确保对系统性能的影响可接受。若需更低电容或更低漏电型号,可在 VISHAY 系列中进行比较选择。

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